[發明專利]硫代乙酰胺修飾TiO2 在審
| 申請號： | 202010907085.7 | 申請日： | 2020-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN111987224A | 公開（公告）日： | 2020-11-24 |
| 發明（設計）人： | 李亞峰;王晶晶;魏明燈 | 申請（專利權）人： | 福州大學 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人： | 林文弘;蔡學俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 乙酰 修飾 tio base sub | ||
【權利要求書】：
1.一種硫代乙酰胺修飾TiO2介孔層在鈣鈦礦太陽能電池中的應用，其特征在于，在TiO2介孔層和鈣鈦礦層之間加入一層修飾層硫代乙酰胺，然后用于組裝鈣鈦礦太陽能電池。
2.根據權利要求1所述的應用，其特征在于，包括如下步驟：
（1）將硫代乙酰胺溶于異丙醇中，配制成0.05 M~0.2 M的硫代乙酰胺溶液，將硫代乙酰胺溶液旋涂在TiO2介孔層上，轉速為4000 rpm，旋涂時間為30 s，然后在100℃加熱10 min，得到硫代乙酰胺修飾層；
（2）在硫代乙酰胺修飾層上制備有機鉛鹵化物鈣鈦礦層，然后用于組裝鈣鈦礦太陽能電池。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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