[發明專利]一種防止二次利用的RFID標簽芯片電路及其方法在審
| 申請號: | 202010906970.3 | 申請日: | 2020-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN112016657A | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發明(設計)人: | 馬莉 | 申請(專利權)人: | 上海天俁可信物聯網科技有限公司 |
| 主分類號: | G06K19/077 | 分類號: | G06K19/077;G06Q30/00;G06F3/06 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 201210 上海市浦東新區中國*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 防止 二次 利用 rfid 標簽 芯片 電路 及其 方法 | ||
1.一種防止二次利用的RFID標簽芯片電路,包括:
天線;
射頻能量采集電路,用于將所述天線收集的射頻信號按設定比例轉換為所述RFID標簽芯片的工作電壓;
模擬電路,用于提供數字電路和存儲電路所需的電源電壓、電流、上電復位信號及時鐘,并將所述天線收集的射頻調制信號進行檢波、放大和整形以獲得射頻信號上的調制信息并傳送至數字電路和存儲電路;
數字電路,用于接收解調信號,向所述模擬電路發送響應信號,控制存儲電路對存儲器進行讀寫;
存儲電路,用于在所述模擬電路和數字電路的控制下生成讀寫時序對存儲器進行讀寫操作;
防二次利用上拉恒流源,用于在所述天線不正常時將連接所述天線的所述射頻能量采集電路的射頻端口RF電位抬高,而在所述天線正常時使所述射頻端口RF電位為低;
施密特觸發器,其輸入端與電源地通過所述天線相連,輸出端連接所述數字電路的控制輸入端。
2.如權利要求1所述的一種防止二次利用的RFID標簽芯片電路,其特征在于:所述RFID標簽芯片電路還包括濾波電路,所述濾波電路連接在所述施密特觸發器與天線之間,用于過濾所述天線上的射頻信號,有效防止所述施密特觸發器的誤觸發。
3.如權利要求2所述的一種防止二次利用的RFID標簽芯片電路,其特征在于:所述濾波電路至少包括一濾波電阻和濾波電容,所述濾波電阻的一端連接所述射頻能量采集電路的射頻端口RF、天線以及所述防二次利用上拉恒流源,另一端連接至所述濾波電容的一端和所述施密特觸發器的輸入端,所述濾波電容的另一端接地。
4.如權利要求3所述的一種防止二次利用的RFID標簽芯片電路,其特征在于:所述天線為有短路環的外接天線,其短路環的一端接所述射頻能量采集電路的射頻端口RF,另一端通過地線焊盤接地。
5.如權利要求4所述的一種防止二次利用的RFID標簽芯片電路,其特征在于:當所述RFID標簽正常工作時,所述施密特觸發器輸入端為低電平,輸出也為低電平。
6.如權利要求5所述的一種防止二次利用的RFID標簽芯片電路,其特征在于:當所述RFID標簽天線剝離時,所述施密特觸發器的輸入端為高電平,輸出也變為高電平,在對該標簽讀取過程中將表示所述RFID標簽已被撕毀的信息寫入所述RFID標簽的存儲器。
7.一種防止二次利用RFID標簽的方法,包括如下步驟:
步驟S1,當所述RFID標簽正常工作時,施密特觸發器的輸出為低電平,此時標簽芯片工作正常;
步驟S2,當所述RFID標簽天線遭到破壞,所述施密特觸發器的輸出為高電平,則將表示所述RFID已被撕毀的信息寫入所述RFID標簽的存儲器中,表示所述RFID標簽為二次利用標簽。
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