[發(fā)明專利]基于N線的信號(hào)注入拓?fù)渥R(shí)別裝置及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010906601.4
• 申請(qǐng)日: 2020-09-02
• 公開（公告）號(hào): CN111929634B
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓鵬;寧騫;盧玉鳳;高春梅;任旭;潘毅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華立科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G01R35/04
• 分類號(hào): G01R35/04;G01R19/175
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于N線的信號(hào)注入拓?fù)渥R(shí)別裝置，其特征在于，包括：電源模塊、MCU主控模塊、與MCU主控模塊連接的過零檢測(cè)模塊、HPLC模塊、信號(hào)接收模塊、信號(hào)注入模塊以及485模塊，所述的電源模塊用來給各個(gè)模塊提供電能，所述的過零檢測(cè)模塊用來監(jiān)測(cè)市電過零點(diǎn)時(shí)刻，所述的HPLC模塊完成信號(hào)的接收與發(fā)送，所述的信號(hào)注入模塊用來發(fā)送拓?fù)渥R(shí)別特征電流信號(hào)，所述的信號(hào)接收模塊用來接收特征電流信號(hào)，所述的485模塊用來與同一分支箱內(nèi)的電能表進(jìn)行通信，所述的信號(hào)注入模塊包括，電源隔離模塊，所述的電源隔離模塊用來為后級(jí)傳輸能量，同時(shí)實(shí)現(xiàn)前級(jí)和后級(jí)強(qiáng)弱電隔離；與電源隔離模塊連接的邏輯判斷模塊，所述的邏輯判斷模塊是一個(gè)二輸入一輸出或門判斷邏輯；與電源隔離模塊、邏輯判斷模塊連接的光耦控制模塊，所述的光耦控制模塊用來將強(qiáng)、弱電隔離，同時(shí)將弱電端的控制信號(hào)作用到強(qiáng)電端控制強(qiáng)電電路動(dòng)作；以及與光耦控制模塊連接的繼電器控制模塊，所述的繼電器控制模塊用來控制強(qiáng)電側(cè)的共用地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于N線的信號(hào)注入拓?fù)渥R(shí)別裝置，其特征在于，所述的電源隔離模塊由電容C1、芯片U1、電容C2、電容C3組成，所述芯片U1的引腳4和引腳5分別連接電源，引腳1和引腳7接地，所述的電容C1一端與芯片U1的引腳4連接，另一端接地，電容C2和電容C3一端與芯片U1的引腳5連接，另一端接地，所述的電容C1、電容C2為電解電容，用來儲(chǔ)能、穩(wěn)定波形，所述的電容C3為貼片電容，用來濾除雜波穩(wěn)定電源波形，所述的芯片U1為隔離電源轉(zhuǎn)化芯片，用來將弱電側(cè)的電源轉(zhuǎn)化為強(qiáng)電側(cè)的電源。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于N線的信號(hào)注入拓?fù)渥R(shí)別裝置，其特征在于，所述的邏輯判斷模塊由電阻R1、電阻R2、電容C4和芯片U2組成，所述電阻R1一端與芯片U2的引腳2連接，另一端與電源連接，芯片U2的引腳3接地、引腳4與光耦控制模塊連接、引腳5與電源連接，所述的電阻R2一端與芯片U2的引腳5連接，另一端與芯片U2引腳4連接，所述電容C4的一端與芯片U2的引腳5連接，另一端接地，所述的電阻R1和電阻R2為上拉電阻，所述的芯片U2為二輸入一輸出或門芯片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于N線的信號(hào)注入拓?fù)渥R(shí)別裝置，其特征在于，所述的光耦控制模塊由電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻Rs1、電阻Rs2、電容C5、電容C6、電容C7、三極管Q1、MOS管N1、芯片U3、二極管D1、二極管D2、二極管D3、二極管D4組成，所述電阻R3的一端與電源連接，另一端與芯片U3的引腳1連接，所述電容C5一端與芯片U3的引腳1連接，另一端接地，所述芯片U3的引腳4接地，所述電阻R4的一端與芯片U3的引腳5連接，另一端與三極管Q1的基極連接，所述三極管Q1的發(fā)射極與電源連接、集電極與MOS管N1的柵極連接，所述芯片U3的引腳6與電源連接、引腳4接地，所述電容C6一端與芯片U3的引腳6連接，另一端接地，所述MOS管N1的源極分別與電阻R6、電阻Rs1、電阻Rs2連接，所述MOS管N1的漏極分別與電容C7和電源連接，所述電阻R6的另一端與電容C7連接，所述電阻R6、電容C7形成RC串聯(lián)濾波電路，所述電阻Rs1、電阻Rs2并聯(lián)，電阻Rs1、電阻Rs2的另一端與二極管D1、二極管D2、二極管D3、二極管D4的正極連接，所述的二極管D1、二極管D2、二極管D3、二極管D4并聯(lián)，所述的電阻R3、電阻R4、電阻R6為限流電阻，所述的電阻R5為下拉電阻，所述的MOS管N1為大功率MOS管，所述的二極管D1、二極管D2、二極管D3、二極管D4為單相導(dǎo)通二極管，所述的電阻Rs1、電阻Rs2選用大功率水泥電阻。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于N線的信號(hào)注入拓?fù)渥R(shí)別裝置，其特征在于，所述的繼電器控制模塊包括電阻R7、三極管QP1、二極管DP1、繼電器RY1，所述電阻R7一端連接MCU主控模塊，另一端與三極管QP1的基極連接，所述三極管QP1的集電極與二極管DP1的正極連接，所述三極管QP1的發(fā)射極接地，所述二極管DP1的負(fù)極連接電源，所述繼電器RY1分別與二極管DP1的負(fù)極、三極管QP1的發(fā)射極連接。