[發明專利]碳化硅基體的制造方法、半導體裝置的制造方法、碳化硅基體和半導體裝置

在審

• 申請號: 202010905516.6
• 申請日: 2020-09-01
• 公開（公告）號: CN113113293A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 西尾讓司;太田千春
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/04
• 分類號: H01L21/04;H01L21/329;H01L21/331;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/861
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 張智慧

本發明提供高品位的碳化硅基體的制造方法、半導體裝置的制造方法、碳化硅基體和半導體裝置。根據實施方式，在碳化硅基體的制造方法中，包括準備第1基體。第1基體包括第1基體面且包含碳化硅。第1基體面相對于第1基體的(0001)面傾斜。第1基體的(0001)面與第1基體面交叉的第1線段沿著第1基體的[11?20]方向。制造方法包括在第1基體面形成包含碳化硅的第1層。制造方法包括將第1層的一部分除去。通過一部分的除去而露出的第1層的第1層面相對于第1層的(0001)面傾斜。第1層的(0001)面與第1層面交叉的第2線段沿著[?1100]方向。

本申請以日本專利申請2020-002078(申請日2020年1月9日)為基礎，享受來自該申請的優先權。本申請參照該申請，從而包含該申請的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及碳化硅基體的制造方法、半導體裝置的制造方法、碳化硅基體和半導體裝置。

背景技術

例如，存在使用碳化硅基體的半導體裝置。期望高質量的碳化硅基體。

發明內容

本發明的實施方式提供高品位的碳化硅基體的制造方法、半導體裝置的制造方法、碳化硅基體和半導體裝置。

用于解決課題的手段

根據本發明的實施方式，在碳化硅基體的制造方法中，包括準備第1基體。上述第1基體包括第1基體面且包含碳化硅。上述第1基體面相對于上述第1基體的(0001)面傾斜。上述第1基體的上述(0001)面與上述第1基體面交叉的第1線段沿著上述第1基體的[11-20]方向。上述制造方法包括在上述第1基體面形成包含碳化硅的第1層。上述制造方法包括將上述第1層的一部分除去。通過上述一部分的上述除去而露出的上述第1層的第1層面相對于上述第1層的(0001)面傾斜。上述第1層的上述(0001)面與上述第1層面交叉的第2線段沿著[-1100]方向。

根據上述構成的碳化硅基體的制造方法，能夠提供高品位的碳化硅基體的制造方法、半導體裝置的制造方法、碳化硅基體和半導體裝置。

附圖說明

圖1為例示第1實施方式涉及的碳化硅基體的制造方法的流程圖。

圖2(a)～圖2(d)為例示第1實施方式涉及的碳化硅基體的制造方法的示意圖。

圖3(a)～圖3(c)為例示第1實施方式涉及的碳化硅基體的制造方法的示意圖。

圖4(a)～圖4(d)為例示第1實施方式涉及的碳化硅基體的制造方法的示意圖。

圖5(a)～圖5(c)為例示第1實施方式涉及的碳化硅基體的制造方法的示意圖。

圖6(a)和圖6(b)為例示第1實施方式涉及的碳化硅基體的制造方法的示意圖。

圖7(a)和圖7(b)為例示第1實施方式涉及的碳化硅基體的制造方法的示意圖。

圖8(a)和圖8(b)為例示第1實施方式涉及的碳化硅基體的制造方法的示意性截面圖。

圖9為例示第1實施方式涉及的碳化硅基體的特性的坐標圖。

圖10為例示第4實施方式涉及的半導體裝置的示意性截面圖。

圖11為例示第4實施方式涉及的半導體裝置的示意性截面圖。

附圖標記說明