[發(fā)明專利]發(fā)光二極管外延片的生長方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010904842.5 | 申請日： | 2020-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN112259645B | 公開（公告）日： | 2021-11-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 姚振;從穎;董彬忠;李鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 呂耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 外延 生長 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管外延片的生長方法，所述生長方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次生長低溫緩沖層、高溫緩沖層、N型層、有源層、電子阻擋層和P型層；
其特征在于，
在所述P型層生長完后，對所述P型層進(jìn)行n次退火處理，2≤n≤8，其中，每進(jìn)行一次所述退火處理后，在所述P型層上生長一層P型GaN子層，然后對所述P型層和所述P型GaN子層繼續(xù)進(jìn)行下一次退火處理，直至在所述P型層上生長n-1層所述P型GaN子層，每層所述P型GaN子層的厚度不超過6nm；
所述P型層的生長溫度高于退火處理時(shí)的退火溫度，且所述P型層的生長溫度不超過所述P型GaN子層的生長溫度，所述P型GaN子層的生長溫度為980～1020℃；
對所述P型層進(jìn)行n次退火處理，包括：
在前n-1次退火處理的過程中，向退火爐內(nèi)通入In源和Al源；
在最后一次退火處理的過程中，向反應(yīng)爐內(nèi)通入In源和Si源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長方法，其特征在于，n次所述退火處理的退火時(shí)間和退火溫度均相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的生長方法，其特征在于，所述退火時(shí)間為20～60s，所述退火溫度為700～800℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長方法，其特征在于，n次所述退火處理的退火時(shí)間逐次減少，退火溫度逐次降低。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的生長方法，其特征在于，所述退火時(shí)間每次減少5～15s，所述退火溫度每次減少100～200℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的生長方法，其特征在于，所述P型GaN子層的生長速率大于所述P型層的生長速率。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的生長方法，其特征在于，所述P型GaN子層的生長速率為10～20nm/min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的生長方法，其特征在于，所述P型GaN子層的Mg/Ga比大于所述P型層的Mg/Ga比。
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