[發明專利]一種螺旋環電極硅陣列探測器

在審

• 申請號: 202010903799.0
• 申請日: 2020-09-01
• 公開（公告）號: CN112071945A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 劉曼文;李正;李鑫卿
• 申請（專利權）人: 魯東大學
• 主分類號: H01L31/115
• 分類號: H01L31/115;H01L31/0352;H01L31/0224
• 代理公司: 重慶市信立達專利代理事務所(普通合伙) 50230
• 代理人: 陳炳萍

1.一種螺旋環電極硅陣列探測器，其特征在于，包括柱形基體，基體頂面上設有摻雜形成的螺旋環電極和中央電極共同構成的陰極，中央電極位于螺旋環電極正中，螺旋環電極環繞于中央電極之外，螺旋環電極的螺旋環數量為K，K為正整數，基體底面為摻雜形成的陽極；基體頂面電極上設有電極接觸層，在沒有電極接觸層的地方覆蓋有SiO₂，基體底面整面電極設有電極接觸層。

2.根據權利要求1所述的螺旋環電極硅陣列探測器，其特征在于，所述螺旋電極為圓形螺旋環形、方形螺旋環形或正多邊形螺旋環形；柱形基體為圓柱形、方柱形或正多邊柱形。

3.根據權利要求2所述的螺旋環電極硅陣列探測器，其特征在于，所述螺旋環電極為圓形螺旋環形，柱形基體為圓形柱。

4.根據權利要求2所述的螺旋環電極硅陣列探測器，其特征在于，所述螺旋環電極為方形螺旋環形，柱形基體為方形柱。

5.根據權利要求2所述的螺旋環電極硅陣列探測器，其特征在于，所述螺旋環電極為正n邊形，n≥6，柱形基體為正m邊柱形，m≥n。

6.根據權利要求2至5任一所述的螺旋環電極硅陣列探測器，其特征在于，所述陰極是摻雜濃度為1×10¹⁹/cm³—1×10²¹/cm³的P型摻雜，摻雜深度為1μm；陽極是摻雜濃度為1×10¹⁹/cm³—1×10²¹/cm³的N型摻雜，摻雜深度為1μm；基體是摻雜濃度為1×10¹⁹/cm³—1×10²¹/cm³的N型摻雜。