[發(fā)明專利]靜渦旋盤組件、渦旋壓縮機(jī)和制冷設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010900240.2
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN111963425A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊帆
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東美芝制冷設(shè)備有限公司
• 主分類號: F04C18/02
• 分類號: F04C18/02;F04C29/00;F25B31/00
• 代理公司: 北京友聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11343
• 代理人: 尚志峰;王淑梅

1.一種靜渦旋盤組件，其特征在于，包括：

盤本體，所述盤本體設(shè)置有壓縮通道；

增焓通道，設(shè)置于所述盤本體，所述增焓通道用于連通渦旋壓縮機(jī)的增焓管路；

噴焓通道，設(shè)置于所述盤本體的底壁，所述噴焓通道連通所述壓縮通道和所述增焓通道，所述噴焓通道包括阻流部，所述阻流部用于阻礙所述壓縮通道內(nèi)的氣體回流至所述增焓通道。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜渦旋盤組件，其特征在于，

所述噴焓通道的側(cè)壁面構(gòu)造成所述阻流部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜渦旋盤組件，其特征在于，

所述噴焓通道在第一位置貫穿所述盤本體的底壁面，所述噴焓通道在第一位置的橫截面面積大于所述噴焓通道在第二位置的橫截面面積。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的靜渦旋盤組件，其特征在于，

所述噴焓通道在第二位置的橫截面面積小于或等于所述噴焓通道在其余位置的橫截面面積；

所述噴焓通道在第二位置的橫截面面積與所述噴焓通道在第一位置的橫截面面積的比值范圍為0.1至0.7。

5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的靜渦旋盤組件，其特征在于，

所述噴焓通道的側(cè)壁面包括至少一彎折部；和/或

所述噴焓通道的側(cè)壁面包括相對于水平面傾斜的傾斜面；和/或

所述噴焓通道的側(cè)壁面包括弧面。

6.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的靜渦旋盤組件，其特征在于，

所述噴焓通道的側(cè)壁面包括多級臺階面，全部面向所述壓縮通道的臺階面包括水平面和/或相對于水平面傾斜的傾斜面。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜渦旋盤組件，其特征在于，

所述噴焓通道包括相對于水平面傾斜延伸的第一段通道，所述第一段通道靠近所述盤本體的中心線的一端與所述增焓通道連通。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的靜渦旋盤組件，其特征在于，

在所述盤本體的底壁的厚度方向上，所述第一段通道的中心線與所述增焓通道的中心線的夾角小于90°。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的靜渦旋盤組件，其特征在于，

在所述盤本體的底壁的厚度方向上，所述第一段通道的中心線與所述增焓通道的中心線的夾角范圍為10°至50°。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至4、7至9中任一項(xiàng)所述的靜渦旋盤組件，其特征在于，

所述噴焓通道遠(yuǎn)離所述壓縮通道的一端與所述壓縮通道的間距，大于等于所述增焓通道與所述壓縮通道的間距。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至4、7至9中任一項(xiàng)所述的靜渦旋盤組件，其特征在于，

所述噴焓通道貫穿所述盤本體的底壁面的開口的邊緣上任意兩點(diǎn)之間的距離，小于等于所述盤本體的渦齒的厚度。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的靜渦旋盤組件，其特征在于，

所述噴焓通道貫穿所述盤本體的底壁面的開口的邊緣上任意兩點(diǎn)之間的距離，與所述盤本體的渦齒的厚度的比值范圍為1/2至10/11。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至4、7至9中任一項(xiàng)所述的靜渦旋盤組件，其特征在于，

所述噴焓通道的數(shù)量為多個(gè)；

所述增焓通道在所述盤本體的厚度方向上的同一高度處與多個(gè)所述噴焓通道連通，或

所述增焓通道在所述盤本體的厚度方向上的不同高度處與多個(gè)所述噴焓通道連通。

14.一種渦旋壓縮機(jī)，其特征在于，包括：

如權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的靜渦旋盤組件。