[發明專利]帶有EEPROM的集成電路

在審

• 申請號: 202010899314.5
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN112086122A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 趙正超;李文昌;洪婷;李剛;方海燕
• 申請（專利權）人: 山東華科半導體研究院有限公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00;G11C29/02
• 代理公司: 成都惠迪專利事務所(普通合伙) 51215
• 代理人: 劉勛

帶有EEPROM的集成電路，涉及集成電路技術。本發明包括由預定數量的EEPROM基本單元構成的EEPROM模塊、修調電路和存儲電路，其特征在于，還包括預設數量的切換電路，每一切換電路皆與修調電路、存儲電路連接和一個EEPROM基本單元，同一EEPROM基本單元僅與一個切換電路連接，并有一個控制電路連接各切換電路的控制端。本發明不僅實現了高價值組件EEPROM的充分利用，更提供了準確的修調方法，對于芯片良率有顯著的改善。

技術領域

本發明涉及集成電路技術。

背景技術

現有技術中，EEPROM都是單獨用在功能電路和/或修調電路中，通過與存儲電路連接，作為存儲模塊的核心器件。以修調電路中的EEPROM為例，當芯片完成修調后，工作狀態下，修調電路所屬的EEPROM即為空置。在集成電路中，EEPROM空置的代價比較大。其二，傳統的芯片中測修調方式，只能按照理論的修調方案進行修調，且修調后無法修改，如果出現修調后實際值與理論值偏差較大的情況，則整個芯片報廢。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是，提供一種能夠實現EEPROM復用的集成電路。

本發明解決所述技術問題采用的技術方案是，帶有EEPROM的集成電路，包括由預定數量的EEPROM基本單元構成的EEPROM模塊、修調電路和存儲電路，其特征在于，還包括預設數量的切換電路，每一切換電路皆與修調電路、存儲電路連接和一個EEPROM基本單元，同一EEPROM基本單元僅與一個切換電路連接，并有一個控制電路連接各切換電路的控制端。

進一步的，所述切換電路包括兩個串聯的傳輸門，兩個傳輸門的串聯連接點連接到EEPROM基本單元，傳輸門的控制端連接到切換電路控制端。

采用本發明的技術，可以利用EEPROM先進行模擬修調，確定最合適的修調方案后再進行真正的修調。如果單獨為中測修調而增加EEPROM的話，會增加比較多的成本，本發明通過設置低成本的切換電路，在中測時將存儲電路中的EEPROM切換到修調電路中，中測結束后，再將EEPROM切換到存儲電路中。

本發明不僅實現了高價值組件EEPROM的充分利用，更提供了準確的修調方法，對于芯片良率有顯著的改善。

附圖說明

圖1是本發明的原理圖。

圖2是本發明的控制電路原理圖。

圖3是本發明的切換電路的電路圖。

具體實施方式

參見圖1。本發明提供一種帶有EEPROM的集成電路，包括由預定數量的EEPROM基本單元構成的EEPROM模塊、修調電路和存儲電路，還包括預設數量的切換電路，每一切換電路皆與修調電路、存儲電路連接和一個EEPROM基本單元，同一EEPROM基本單元僅與一個切換電路連接，并有一個控制電路連接各切換電路的控制端。切換電路的高輸出端連接修調電路，低輸出端連接存儲電路。如圖3，切換電路包括兩個串聯的傳輸門，兩個傳輸門的串聯連接點連接到EEPROM基本單元，傳輸門的控制端連接到切換電路控制端。通過控制兩個傳輸門實現EEPROM接入切換。當EEPROM接入修調電路時，其為修調電路提供存儲功能；當EEPROM接入存儲電路時，其為存儲電路提供存儲功能的一部分。

圖2示出了控制電路的一種簡化結構。

初始狀態，控制電路熔絲短路，控制電路輸出端為高電平，切換電路將高邊傳輸門打開，低邊傳輸門關閉，輸入端與高輸出端短接，需要用到的EEPROM基本單元都被接入修調電路中，用于芯片Wafer測試階段模擬修調使用，這樣可以大大提高修調的準確度。

然后用激光將熔絲燒斷，完成修調。至此控制電路的輸出端被電阻R0拉至低電平，切換電路會將高邊傳輸門關閉，低邊傳輸門打開，輸入端與低輸出端短接，所有EEPROM基本單元都被永久接入存儲電路中，在之后的芯片使用過程中，EEPROM單元都會用于正常的存儲功能。修調完成后進入芯片封裝等后續流程。