[發(fā)明專利]分柵式閃存器件及其制備方法、電子設(shè)備

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• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN114121964A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁志彬;金炎;王德進;張松;李小紅;劉群
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L27/11521
• 代理公司: 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 姚姝婭

1.一種分柵式閃存器件的制備方法，其特征在于，包括：

獲取襯底，所述襯底上依次形成有柵介質(zhì)層薄膜、浮柵多晶硅薄膜；

在所述浮柵多晶硅薄膜上形成硬掩膜層薄膜；

刻蝕所述硬掩膜層薄膜，在浮柵預(yù)設(shè)區(qū)域形成不少于2個開口，所述開口露出部分所述浮柵多晶硅薄膜；

進行熱氧化工藝，在所述浮柵預(yù)設(shè)區(qū)域的浮柵多晶硅薄膜中形成場氧層，所述場氧層的底部與所述浮柵多晶硅薄膜的底部之間的距離不小于預(yù)設(shè)距離；

進行刻蝕工藝，去除所述襯底上的硬掩膜層薄膜，以及所述浮柵預(yù)設(shè)區(qū)域之外的柵介質(zhì)層薄膜、浮柵多晶硅薄膜，獲取由剩余柵介質(zhì)層薄膜、剩余浮柵多晶硅薄膜構(gòu)成的浮柵結(jié)構(gòu)；

在所述襯底上形成隧穿氧化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述開口在所述浮柵預(yù)設(shè)區(qū)域均勻分布。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述開口在浮柵預(yù)設(shè)區(qū)域關(guān)于所述浮柵預(yù)設(shè)區(qū)域的中心線對稱分布。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述方法還包括：

形成選擇柵結(jié)構(gòu)，所述選擇柵結(jié)構(gòu)位于所述浮柵結(jié)構(gòu)一側(cè)的隧穿氧化層表面，并沿所述隧穿氧化層延伸到部分所述浮柵結(jié)構(gòu)上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕所述硬掩膜層薄膜，在浮柵預(yù)設(shè)區(qū)域形成不少于2個開口的步驟包括：

在所述硬掩膜層薄膜上形成第一光刻膠圖形，所述第一光刻膠圖形露出浮柵預(yù)設(shè)區(qū)域中預(yù)設(shè)開口區(qū)域的硬掩膜層薄膜；

刻蝕去除所述預(yù)設(shè)開口區(qū)域的硬掩膜層薄膜，在所述預(yù)設(shè)開口區(qū)域形成所述開口；

去除所述第一光刻膠圖形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)層薄膜包括氧化層薄膜、高k柵介質(zhì)層薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述在所述浮柵多晶硅薄膜上形成硬掩膜層薄膜之前還包括形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述硬掩膜層薄膜至少包括氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、碳氧化硅薄膜、碳氮化硅薄膜、碳氮氧化硅薄膜種的一種。

9.一種分柵式閃存器件，其特征在于，包括：

襯底；

柵介質(zhì)層，位于所述襯底上；

浮柵多晶硅層，位于所述柵介質(zhì)層上；

場氧層，位于所述浮柵多晶硅層上，所述場氧層是通過熱氧化工藝形成的；

隧穿氧化層，位于所述場氧層上，且沿所述場氧層延伸至所述浮柵多晶硅層兩側(cè)的襯底上；

其中，所述場氧層的底部與浮柵多晶硅的底部之間的距離不小于預(yù)設(shè)距離；所述場氧層與所述浮柵多晶硅層接觸面的縱截面為至少具有兩個波谷的波浪形。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的分柵式閃存器件，其特征在于，所述波浪形與所述隧穿氧化層交接處的切線斜率大于預(yù)設(shè)值；所述預(yù)設(shè)值是指所述場氧層與所述浮柵多晶硅層接觸面的縱截面為具有一個波谷的拋物線形時，所述拋物線形與所述隧穿氧化層交接處的切線斜率。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的分柵式閃存器件，其特征在于，所述波浪形關(guān)于所述場氧層的中心線對稱。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的分柵式閃存器件，其特征在于，所述波浪形具有兩個波谷，且所述波谷與所述浮柵多晶硅層底部之間的距離相等。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的分柵式閃存器件，其特征在于，還包括選擇柵結(jié)構(gòu)，選擇柵結(jié)構(gòu)位于所述浮柵多晶硅層一側(cè)的隧穿氧化層表面，并沿所述隧穿氧化層延伸到部分所述浮柵多晶硅層上。

14.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括權(quán)利要求9-13所述的分柵式閃存器件。