[發明專利]芯片轉移頭及其制作方法、固晶機及芯片轉移方法有效
| 申請號: | 202010897674.1 | 申請日: | 2020-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN112967981B | 公開(公告)日: | 2022-05-13 |
| 發明(設計)人: | 翟峰 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/677;H01L21/67;H01L33/48;H01L27/15 |
| 代理公司: | 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281 | 代理人: | 李發兵 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 轉移 及其 制作方法 固晶機 方法 | ||
本發明涉及一種芯片轉移頭及其制作方法、固晶機及芯片轉移方法。芯片轉移頭上包括負壓裝置;設置于負壓裝置上的真空吸附頭,真空吸附頭的吸嘴孔洞與負壓裝置連通;吸嘴孔洞填充有多孔材料;真空吸附頭背離負壓裝置的一端覆蓋有多孔材料。通過多孔材料將負壓裝置產生的吸取力分散傳遞到芯片上,使得與多孔材料貼合的芯片受力均勻,可以避免真空吸附頭與芯片直接接觸,進而避免吸取芯片時,芯片受力不均勻導致碎裂的問題;同時,釋放芯片時,由于多孔材料將吸取力分散傳遞到芯片上,使得釋放芯片時,芯片在Y軸方向,也即豎直方向的一致性會更好,避免了由于芯片受力不均勻,導致釋放芯片時,角度不一致的問題。
技術領域
本發明涉及半導體器件領域,尤其涉及一種芯片轉移頭及其制作方法、固晶機及芯片轉移方法。
背景技術
微型發光二極管(Mini Light Emitting Diode,Mini-LED)顯示技術基于無機半導體發光二極管(Light-emitting diode,LED),燈珠間距在0.6-1.2mm之間的新型顯示技術;Mini-LED可以應用于超大屏高清顯示,如監控指揮,高清演播,高端影院,醫療檢測等專業領域或者戶外廣告,會議會展,辦公顯示等商業領域;Mini-LED顯示技術具有高亮度、高響應速度、低功耗、長壽命等優點,成為人們追求新一代顯示技術的研究熱點。在制造Mini-LED顯示器過程中,需要將Mini-LED放置到電路板(Printed Circuit Board,PCB)單元板上。相關技術中,一般會通過真空吸附頭將Mini-LED芯片從UV膜上吸取并放置到PCB單元板上。這種芯片轉移過程中,芯片受力不均勻,釋放芯片時角度容易不一致。
因此,如何使得LED芯片轉移中受力均勻、釋放芯片時角度一致是亟需解決的問題。
發明內容
鑒于上述相關技術的不足,本申請的目的在于提供芯片轉移頭及其制作方法、固晶機及芯片轉移方法,旨在解決相關技術中,LED芯片轉移過程中,芯片受力不均勻,釋放芯片時角度不一致的問題。
一種芯片轉移頭,包括:
負壓裝置;
設置于負壓裝置上的真空吸附頭,所述真空吸附頭的吸嘴孔洞與所述負壓裝置連通;
吸嘴孔洞填充有多孔材料;
真空吸附頭背離所述負壓裝置的一端覆蓋有多孔材料。
上述芯片轉移頭,通過多孔材料將負壓裝置產生的吸取力分散傳遞到芯片上,使得與多孔材料貼合的芯片受力均勻,可以避免真空吸附頭與芯片直接接觸,進而避免吸取芯片時,芯片受力不均勻導致碎裂的問題;同時,釋放芯片時,由于多孔材料將吸取力分散傳遞到芯片上,使得釋放芯片時,芯片在Y軸方向,也即豎直方向的一致性會更好,避免了由于芯片受力不均勻,導致釋放芯片時,角度不一致的問題。
可選地,真空吸附頭側面覆蓋有多孔材料;
可選地,多孔材料背離真空吸附頭一側表面的面積與負壓裝置朝向多孔材料的一側表面的面積相等。
可選地,多孔材料背離真空吸附頭一側表面的面積大于待轉移芯片朝向真空吸附頭一側表面的面積。
可選地,真空吸附頭背離負壓裝置的一端覆蓋的多孔材料的高度為100微米至500微米。
可選地,多孔材料的材質為聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、或熱塑性聚氨酯彈性體;
基于同樣的發明構思,本申請還提供一種上述芯片轉移頭的制作方法,包括:
制備多孔材料;
將多孔材料與真空吸附頭結合,使得多孔材料填充在真空吸附頭的吸嘴孔洞,多孔材料覆蓋在真空吸附頭背離負壓裝置的一端。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





