[發明專利]一種生產高純鋁的方法與裝置在審
| 申請號: | 202010897532.5 | 申請日: | 2020-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN111850607A | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發明(設計)人: | 盧惠民;劉宗仁;盧小溪 | 申請(專利權)人: | 北京歐菲金太科技有限責任公司 |
| 主分類號: | C25C3/08 | 分類號: | C25C3/08;C25C3/18;C25C3/24 |
| 代理公司: | 北京睿智保誠專利代理事務所(普通合伙) 11732 | 代理人: | 周新楣 |
| 地址: | 100085 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 生產 高純 方法 裝置 | ||
1.一種生產高純鋁的裝置,其特征在于,包括殼體,殼體內鋪設有電解槽內襯,電解槽內襯安裝有隔離導電板,隔離導電板將電解槽分為上電解槽和下電解槽,上電解槽安裝有陰極導體,下電解槽安裝有陽極導體,隔離導電板上安裝有出鋁管,所述出鋁管連通所述上電解槽和所述下電解槽,所述出鋁管上端面凸出于所述隔離導電板,所述電解槽內襯開設有下料口,所述下料口分別與所述上電解槽和所述下電解槽的底部連通。
2.根據權利要求1所述的一種生產高純鋁的裝置,其特征在于,所述殼體和所述電解槽內襯之間鋪設有保溫層。
3.根據權利要求2所述的一種生產高純鋁的裝置,其特征在于,所述陰極導體依次貫穿殼體、保溫層和電解槽內襯,插裝在上電解槽,所述陽極導體依次貫穿殼體、保溫層和電解槽內襯,插裝在下電解槽。
4.根據權利要求1所述的一種生產高純鋁的裝置,其特征在于,所述出鋁管設有多個。
5.根據權利要求1所述的一種生產高純鋁的裝置,其特征在于,所述電解槽內襯頂端設有保溫蓋板。
6.一種生產高純鋁的方法,其特征在于,采用權利要求1-5任一所述的生產高純鋁的裝置,包括以下步驟:
S1:在下電解槽中注入陽極母液,使陽極母液達到35~40cm厚度;
S2:注入液態電解質直至其接觸隔離導電板下表面;
S3:繼續在下料口中注入陽極母液,陽極母液進入上電解槽,直至陽極母液液面與所述出鋁口的上端面平齊;
S4:在上電解槽中注入液態電解質,至液態電解質接觸陰極導體;
S5:連接電源開始電解;
S6:測量或者估計高純鋁析出量,從下料口注入相應數量粗鋁,所述粗鋁注入到上電解槽和下電解槽的陽極母液層,并緩慢攪拌均勻。
7.根據權利要求6所述的一種生產高純鋁的方法,其特征在于,陽極母液由30-35%電解銅和65-70%普通鋁組成,密度為3.4-3.7g/cm3。
8.根據權利要求6所述的一種生產高純鋁的方法,其特征在于,液態電解質密度為2.6-2.8g/cm3。
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