[發(fā)明專利]一種均勻的超薄遂穿氧化層的制備方法及電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010896906.1 | 申請日: | 2020-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN112186069B | 公開(公告)日: | 2022-05-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳孝業(yè);何自娟;蔣秀林;秦怡;尹海鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 晶澳(揚(yáng)州)太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11386 | 代理人: | 姚東華 |
| 地址: | 225009 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 均勻 超薄 氧化 制備 方法 電池 | ||
1.一種均勻的超薄遂穿氧化層的制備方法,其特征在于,所述超薄遂穿氧化層的制備方法在管式爐管內(nèi)完成,包括以下步驟:
步驟101、對硅片進(jìn)行前處理、清洗;
步驟102、硅片裝舟:將硅片裝載在石英舟上,其中,將兩個(gè)硅片靠在一起裝入石英舟的一個(gè)槽位中,將待氧化面暴露于爐管氛圍中;
步驟103、進(jìn)舟氧化:常壓進(jìn)舟,氮?dú)獯祾撸銣兀瑱z漏,通氣常壓或微正壓或微負(fù)壓氧化,常壓出舟;
所述常壓進(jìn)舟的步驟包括:設(shè)置爐管壓力為常壓,爐內(nèi)通入氮?dú)饬髁繛?200-2800sccm,進(jìn)舟時(shí)間為5-10min;
所述步驟103中,通氣常壓或微負(fù)壓或微正壓氧化包括采用純氧為氧化氣體或者采用氮?dú)馀c氧氣的混合氣體為氧化氣體;
所述步驟103中,采用純氧為氧化氣體進(jìn)行氧化的步驟包括:在爐管中通入純的氧氣,當(dāng)爐內(nèi)的壓力達(dá)到微正壓狀態(tài)時(shí)關(guān)閉爐管的進(jìn)氣口和排氣口,保持5-90min;微正壓狀態(tài)是指爐管壓力范圍為1010-1200mbar;
所述步驟103中,采用氮?dú)馀c氧氣的混合氣體為氧化氣體進(jìn)行氧化的步驟包括:維持爐管壓力范圍為800-1200mbar。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄遂穿氧化層的制備方法,其特征在于,所述氧化層為氧化硅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄遂穿氧化層的制備方法,其特征在于,所述常壓進(jìn)舟的步驟包括:氧化管溫區(qū)設(shè)置溫度在550-660℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超薄遂穿氧化層的制備方法,其特征在于,所述氮?dú)獯祾叩牟襟E包括:設(shè)置爐管壓力范圍為800-1200mbar,通入氮?dú)饬髁繛?500-2500sccm進(jìn)行吹掃;控制每個(gè)氧化管溫區(qū)的溫度為560-640℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄遂穿氧化層的制備方法,其特征在于,所述步驟103中,采用氮?dú)馀c氧氣的混合氣體為氧化氣體進(jìn)行氧化的步驟包括:每個(gè)氧化管溫區(qū)的溫度設(shè)置值相同,溫度設(shè)置值為560-640℃,通入氮?dú)饬髁糠秶鸀?000-20000sccm,通入氧氣流量范圍為:1000-10000sccm,氧化時(shí)間為1-90min。
6.一種遂穿氧化鈍化接觸電池,其特征在于,所述遂穿氧化鈍化接觸電池的遂穿氧化層采用權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的制備方法制備。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





