[發明專利]用于逆滲透膜預處理的二氧化硅去除劑

在審

• 申請號: 202010896874.5
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN114105269A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 金寧;韓靈鳳;于春波
• 申請（專利權）人: ?？迫R布美國股份有限公司
• 主分類號: C02F1/52
• 分類號: C02F1/52;C02F1/56;C02F9/04;C02F101/10
• 代理公司: 北京世峰知識產權代理有限公司 11713
• 代理人: 康健;王思琪

1.一種減少水性系統中二氧化硅污垢的方法，其包含：

將包含三價鐵鹽和鎂鹽的組合物添加到水性介質中，以在所述水性介質中沉淀二氧化硅并且形成沉淀的二氧化硅；和

從所述水性介質中去除所述沉淀的二氧化硅的至少一部分，以形成水性上清液。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述三價鐵鹽為氯化鐵、氯化鐵水合物、聚氯化鐵、硫酸鐵、聚硫酸鐵或其組合。

3.根據權利要求1至2中任一項所述的方法，其中所述鎂鹽為氧化鎂、氯化鎂、六水合氯化鎂、硫酸鎂、一水合硫酸鎂、七水合硫酸鎂、碳酸鎂或其組合。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中在添加到所述水性介質中之前，所述組合物通過將所述三價鐵鹽和所述鎂鹽混合來制備。

5.根據權利要求4中任一項所述的方法，其中所述鎂鹽為無水鎂鹽。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中所述鎂鹽為氯化鎂并且所述三價鐵鹽為氯化鐵。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中所述鎂鹽為硫酸鎂并且所述三價鐵鹽為聚硫酸鐵。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其中所述組合物以在約10ppm至約2,000ppm的范圍內的量添加到所述水性介質中。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的方法，其另外包含將基于聚丙烯酰胺的絮凝劑添加到所述水性介質中。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述基于聚丙烯酰胺的絮凝劑以約0.05ppm至約5ppm的量添加。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的方法，其中所述水性介質的pH為約9.5至約12.5。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的方法，其另外包含將鋁化合物添加到所述水性介質中。

13.根據權利要求1至12中任一項所述的方法，其另外包含將所述水性上清液進料到過濾系統中，隨后進料到逆滲透系統中。

14.根據權利要求1至13中任一項所述的方法，其中所述水性介質的電導率為約100μs/cm至約100,000μs/cm并且二氧化硅濃度為約30mg/L至約250mg/L，并且所述水性介質另外包含防垢劑。

15.根據權利要求1至14中任一項所述的方法，其中所述水性介質的溫度為約10℃至約50℃。

16.根據權利要求1至15中任一項所述的方法，其中所述水性介質以CaCO₃計的總硬度為約0mg/L至約2,000mg/L。

17.根據權利要求1至16中任一項所述的方法，其另外包含在添加所述組合物后攪拌所述水性介質。

18.根據權利要求1至16中任一項所述的方法，其另外包含在添加所述組合物后添加堿。

19.根據權利要求18所述的方法，其中所述堿為堿金屬氫氧化物。

20.一種包含三價鐵鹽和鎂鹽的組合物的用途，其用于從水性介質中去除二氧化硅。