[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板及顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010896802.0 | 申請日: | 2020-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN111883545B | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 黃建龍 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 顯示 面板 | ||
1.一種薄膜晶體管基板,其特征在于,包括:
多條掃描線,所述掃描線沿著第一方向延伸設置;
多條數(shù)據(jù)線,所述數(shù)據(jù)線沿著第二方向延伸設置,所述數(shù)據(jù)線的延伸方向與所述掃描線的延伸方向交叉設置形成交叉處;以及
多個薄膜晶體管,所述薄膜晶體管設置在所述交叉處附近;
所述薄膜晶體管包括:
有源層,所述有源層包括第一部分、第二部分和連接在所述第一部分與所述第二部分之間的中間部分,所述第一部分的延伸方向與所述中間部分的延伸方向重合;所述中間部分的延伸方向平行于所述數(shù)據(jù)線的延伸方向;
第一柵極,所述第一柵極連接于所述掃描線,所述第一柵極與所述中間部分重疊設置;
第二柵極,所述第二柵極連接于所述掃描線,所述第二柵極與所述中間部分重疊設置;
源極,所述源極連接于所述數(shù)據(jù)線,所述源極電連接于所述第一部分;以及
漏極,所述漏極電連接于所述第二部分;
所述數(shù)據(jù)線分別與所述第一柵極和所述第二柵極重疊設置;所述掃描線包括間隔設置的第一段和第二段,所述第一柵極與所述第二柵極相對設置;
所述第一柵極連接在所述第一段與所述第二段的相同側,且位于所述第一段與所述第二段之間;所述第二柵極連接在所述第一段與所述第二段的另一相同側,且位于所述第一段與所述第二段之間。
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管基板,其特征在于,所述第二部分的延伸方向與所述中間部分的延伸方向相交。
3.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管基板,其特征在于,在所述薄膜晶體管基板的俯視圖中,所述第一柵極的延伸方向垂直于所述數(shù)據(jù)線的延伸方向,所述第二柵極的延伸方向垂直于所述數(shù)據(jù)線的延伸方向。
4.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管基板,其特征在于,所述數(shù)據(jù)線與所述中間部分重疊設置。
5.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括:
如權利要求1-4任一項所述的薄膜晶體管基板;
彩膜基板,所述彩膜基板與所述薄膜晶體管基板相對設置,所述彩膜基板包括黑矩陣,所述黑矩陣覆蓋所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線和所述薄膜晶體管。
6.根據(jù)權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括間隔柱,所述間隔柱設置在所述薄膜晶體管基板與所述彩膜基板之間,所述間隔柱設置在所述掃描線的延伸方向和所述數(shù)據(jù)線的延伸方向的交叉處;
所述數(shù)據(jù)線與所述中間部分重疊設置;所述間隔柱與所述中間部分重疊設置。
7.根據(jù)權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述間隔柱于所述掃描線所在平面的正投影位于所述第一段和所述第二段之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





