[發(fā)明專利]基于圓片重構(gòu)工藝的三維堆疊封裝散熱結(jié)構(gòu)及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010896600.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111883496A | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱思雄;李祝安;王成遷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L23/467 | 分類號(hào): | H01L23/467;H01L23/367;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司: | 無錫派爾特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 楊立秋 |
| 地址: | 214000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 圓片重構(gòu) 工藝 三維 堆疊 封裝 散熱 結(jié)構(gòu) 及其 制作方法 | ||
本發(fā)明公開一種基于圓片重構(gòu)工藝的三維堆疊封裝散熱結(jié)構(gòu)及其制作方法,屬于微電子封裝領(lǐng)域。基于圓片重構(gòu)工藝的三維堆疊封裝散熱結(jié)構(gòu)包括上層封裝散熱結(jié)構(gòu)、下層封裝散熱結(jié)構(gòu)和PCB;所述下層封裝散熱結(jié)構(gòu)與所述PCB電連;所述上層封裝散熱結(jié)構(gòu)與所述下層封裝散熱結(jié)構(gòu)電連。本發(fā)明通過圓片重構(gòu)工藝,構(gòu)建了芯片到自然環(huán)境和芯片到PCB的雙向散熱通道,能有效解決三維堆疊結(jié)構(gòu)的散熱問題;采用塑封圓片重構(gòu)工藝,不僅可以實(shí)現(xiàn)各層芯片封裝的批量化生產(chǎn),降低制造成本,而且可以實(shí)現(xiàn)各層封裝結(jié)構(gòu)的微型化,滿足市場(chǎng)對(duì)系統(tǒng)三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)的微型化要求。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及微電子封裝技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種基于圓片重構(gòu)工藝的三維堆疊封裝散熱結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)
采用三維堆疊封裝方式能顯著減少電路中各個(gè)互連信號(hào)的延遲,提高系統(tǒng)高集成度,滿足市場(chǎng)對(duì)芯片的多功能化、低加工成本等需求,是未來微電子封裝領(lǐng)域的發(fā)展方向。然而,系統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)的微型化將導(dǎo)致功率密度的急劇升高,使得封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)各個(gè)芯片穩(wěn)定工作時(shí)產(chǎn)生大量的熱,難以有效散出,這也是制約微型化三維堆疊封裝發(fā)展的主要原因之一。
針對(duì)三維堆疊封裝的散熱問題,專利申請(qǐng)?zhí)?01610810942.5的發(fā)明專利提出了一種使用風(fēng)冷散熱的三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行散熱。這種封裝結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)較好的散熱,但存在如下問題:
(1)芯片通過基板形式進(jìn)行轉(zhuǎn)接,會(huì)導(dǎo)致關(guān)于封裝的尺寸(長度、寬度、厚度)的微型化受到局限,達(dá)不到系統(tǒng)進(jìn)行三維封裝結(jié)構(gòu)的微型化目標(biāo);
(2)三維堆疊封裝體的強(qiáng)度減弱,由于各層基板在沿中心線區(qū)域設(shè)置較多的通孔,導(dǎo)致該結(jié)構(gòu)的整體強(qiáng)度下降,在實(shí)際工況下容易導(dǎo)彎曲,甚至致斷裂失效;
(3)采用的傳統(tǒng)的基板型載板,使得三維堆疊結(jié)構(gòu)的組裝過程繁瑣,生產(chǎn)效率低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種基于圓片重構(gòu)工藝的三維堆疊封裝散熱結(jié)構(gòu)及其制作方法,以解決傳統(tǒng)三維堆疊結(jié)構(gòu)的散熱問題。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種基于圓片重構(gòu)工藝的三維堆疊封裝散熱結(jié)構(gòu),包括上層封裝散熱結(jié)構(gòu)、下層封裝散熱結(jié)構(gòu)和PCB;
所述下層封裝散熱結(jié)構(gòu)與所述PCB電連;所述上層封裝散熱結(jié)構(gòu)與所述下層封裝散熱結(jié)構(gòu)電連。
可選的,所述上層封裝散熱結(jié)構(gòu)包括若干上層芯片,所述上層芯片通過上層塑封料包封形成第一塑封體;
所述第一塑封體的正面設(shè)有上層RDL層,所述上層RDL層對(duì)應(yīng)位置上的UBM制作有上層焊球;所述上層芯片通過所述上層RDL層與所述上層焊球連接;
所述第一塑封體的背面通過第一導(dǎo)熱粘接膠貼裝有第一散熱片,所述第一導(dǎo)熱粘接膠和所述第一散熱片覆蓋所述第一塑封體的整個(gè)背面。
可選的,所述第一導(dǎo)熱粘接膠的固化溫度高于所述上層塑封料。
可選的,所述下層封裝散熱結(jié)構(gòu)包括若干下層芯片,所述下層芯片的背面通過第二導(dǎo)熱粘接膠貼裝有第二散熱片,并通過下層塑封料包封形成第二塑封體;
所述第二塑封體的正面設(shè)有下層RDL層,所述下層RDL層對(duì)應(yīng)位置上的UBM制作有下層焊球;所述下層芯片通過所述下層RDL層與所述下層焊球連接;
所述第二塑封體四周制作有TMV通孔,所述TMV通孔內(nèi)通過電鍍填充有銅。
可選的,所述第二導(dǎo)熱粘接膠的固化溫度高于所述下層塑封料。
本發(fā)明還提供了一種基于圓片重構(gòu)工藝的三維堆疊封裝散熱結(jié)構(gòu)的制作方法,包括:
制作上層封裝散熱結(jié)構(gòu)和下層封裝散熱結(jié)構(gòu);
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所,未經(jīng)中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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