[發明專利]TFT器件及其制備方法、陣列基板

有效

• 申請號: 202010896304.6
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN111916492B
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 黃建龍
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/786;H01L29/49;H01L21/34;H01L27/12;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種TFT器件，其特征在于，至少包括遮光層、有源層、柵極、源極以及漏極，其中，所述柵極包括不同層設置的第一子柵極和第二子柵極，在所述TFT器件的膜層厚度上，所述第一子柵極位于所述有源層與所述源極及所述漏極之間，所述第一子柵極與所述第二子柵極電性連接；

所述有源層呈U型，所述第二子柵極至少包括一個柵極金屬圖案，所述第二子柵極與所述源極及所述漏極同層設置，所述柵極金屬圖案通過過孔與所述第一子柵極的表面或側面電性連接；其中，所述第二子柵極包括間隔設置的兩個所述柵極金屬圖案，兩個所述柵極金屬圖案分別位于所述U型兩側。

2.根據權利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述有源層包括源極摻雜區、漏極摻雜區、以及位于所述源極摻雜區和所述漏極摻雜區之間的溝道區，所述源極摻雜區和所述漏極摻雜區分別位于所述U型的兩端，所述第一子柵極覆蓋所述U型中部，未覆蓋所述U型的底部。

3.根據權利要求2所述的TFT器件，其特征在于，在所述TFT器件的膜層厚度上，所述源極與所述U型一側重疊，所述漏極與所述U型另一側的端部重疊，所述源極通過源極接觸孔與所述源極摻雜區電性連接，所述漏極通過漏極接觸孔與所述漏極摻雜區電性連接。

4.根據權利要求1所述的TFT器件，其特征在于，兩個所述柵極金屬圖案通過過孔與同一根掃描線電性連接，兩個所述柵極金屬圖案同時對所述第一子柵極充電，待所述第一子柵極靠近所述有源層一側覆著預設電荷后，預設電荷產生預設電場以使溝道區中的電子和空穴發生預設方向運動。

5.根據權利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述第一子柵極為鉬、銅、鉻、鎢、鉭以及鈦中的一種或多種組合材料，所述第二子柵極為鋁或鋁合金。

6.根據權利要求1所述的TFT器件，其特征在于，在所述TFT器件的膜層厚度方向上，所述第一子柵極位于所述遮光層內，且所述第一子柵極的材料與所述遮光層的材料相同。

7.一種TFT器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S10，提供襯底基板，在所述襯底基板上制備遮光層，在所述襯底基板上制備緩沖層，在所述緩沖層上制備對應于所述遮光層上方的有源層；

步驟S20，在所述緩沖層上制備柵絕緣層，在所述柵絕緣層上制備對應于所述有源層上方的第一子柵極，在所述柵絕緣層上制備層間絕緣層，在所述層間絕緣層上制備對應于所述第一子柵極上方的第二子柵極、源極以及漏極，其中，所述第一子柵極與所述第二子柵極電性連接；

所述有源層呈U型，所述第二子柵極至少包括一個柵極金屬圖案，所述第二子柵極與所述源極及所述漏極同層設置，所述柵極金屬圖案通過過孔與所述第一子柵極的表面或側面電性連接；其中，所述第二子柵極包括間隔設置的兩個所述柵極金屬圖案，兩個所述柵極金屬圖案分別位于所述U型兩側。

8.根據權利要求7所述的TFT器件的制備方法，其特征在于，步驟S20具體還包括：

所述第一子柵極為鉬、銅、鉻、鎢、鉭以及鈦中的一種或多種組合材料，兩個所述柵極金屬圖案為鋁或鋁合金。

9.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括權利要求1至6任一項所述的TFT器件。