[發明專利]支撐片、保護膜形成用膜、保護膜形成用復合片、及帶保護膜的工件加工物的制造方法在審
| 申請號: | 202010896030.0 | 申請日: | 2020-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN112447577A | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發明(設計)人: | 米山裕之 | 申請(專利權)人: | 琳得科株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 張晶;謝順星 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 支撐 保護膜 形成 復合 工件 加工 制造 方法 | ||
1.一種支撐片,其對波長為266nm的光的透射率為20%以上。
2.一種保護膜形成用膜,其對波長為266nm的光的透射率為60%以下。
3.一種保護膜形成用復合片,其具備支撐片與設置在所述支撐片的一個面上的保護膜形成用膜,
所述支撐片為權利要求1所述的支撐片,
所述保護膜形成用膜為權利要求2所述的保護膜形成用膜。
4.根據權利要求3所述的保護膜形成用復合片,其中,所述支撐片對波長為266nm的光的透射率等于或大于所述保護膜形成用膜對波長為266nm的光的透射率。
5.根據權利要求3或4所述的保護膜形成用復合片,其中,
所述保護膜形成用復合片用于貼附于半導體晶圓的背面,
在所述半導體晶圓中,在所述半導體晶圓的所述背面和與所述背面為相反側的電路形成面之間不存在貫通的溝槽。
6.根據權利要求3~5中任一項所述的保護膜形成用復合片,其中,
所述保護膜形成用復合片用于在通過加工工件而得到的工件加工物的任意位置形成保護膜,
所述保護膜形成用膜用于貼附于所述工件的任意位置,
當所述保護膜形成用膜為固化性時,所述保護膜形成用膜的固化物為所述保護膜,當所述保護膜形成用膜為非固化性時,貼附于所述工件的任意位置后的所述保護膜形成用膜為所述保護膜,
所述保護膜形成用復合片用于:在將所述保護膜形成用復合片中的所述保護膜形成用膜貼附于所述工件的任意位置后,隔著所述支撐片,從所述保護膜形成用復合片的所述支撐片側的外部,對所述保護膜形成用復合片中的所述保護膜形成用膜或保護膜照射激光,從而對所述保護膜形成用膜或保護膜進行印字。
7.一種帶保護膜的工件加工物的制造方法,其為制造帶保護膜的工件加工物的方法,所述制造方法中,
所述帶保護膜的工件加工物具備通過加工工件而得到的工件加工物與設置于所述工件加工物的任意位置的保護膜,
所述保護膜由權利要求3~6中任一項所述的保護膜形成用復合片中的所述保護膜形成用膜形成,
當所述保護膜形成用膜為固化性時,所述保護膜形成用膜的固化物為所述保護膜,當所述保護膜形成用膜為非固化性時,貼附于所述工件的任意位置后的所述保護膜形成用膜為所述保護膜,
所述帶保護膜的工件加工物的制造方法具有以下工序:
通過將所述保護膜形成用復合片中的所述保護膜形成用膜貼附于所述工件的目標位置,從而制作在所述工件上設置有所述保護膜形成用復合片的第一層疊體的貼附工序;
在所述貼附工序后,隔著所述支撐片,從所述保護膜形成用復合片的所述支撐片側的外部,對所述第一層疊體中的所述保護膜形成用復合片中的所述保護膜形成用膜或保護膜照射波長為266nm的激光,由此對所述保護膜形成用膜或保護膜進行印字的印字工序;及
通過在所述印字工序后加工所述工件,從而制作所述工件加工物的加工工序,
當所述保護膜形成用膜為固化性時,在所述貼附工序后,進一步具有通過使所述保護膜形成用膜固化而形成所述保護膜的固化工序。
8.一種帶保護膜的工件加工物的制造方法,其為制造帶保護膜的工件加工物的方法,所述制造方法中,
所述帶保護膜的工件加工物具備通過加工工件而得到的工件加工物與設置于所述工件加工物的任意位置的保護膜,
所述保護膜由權利要求2所述的保護膜形成用膜形成,
當所述保護膜形成用膜為固化性時,所述保護膜形成用膜的固化物為所述保護膜,當所述保護膜形成用膜為非固化性時,貼附于所述工件的任意位置后的所述保護膜形成用膜為所述保護膜,
所述帶保護膜的工件加工物的制造方法具有以下工序:
通過將所述保護膜形成用膜貼附于所述工件的目標位置,從而制作在所述工件上設置有所述保護膜形成用膜或保護膜的第二層疊體的貼附工序;
在所述貼附工序后,從所述保護膜形成用膜或保護膜的與所述工件側為相反側的外部,對所述第二層疊體中的所述保護膜形成用膜或保護膜直接照射波長為266nm的激光,由此對所述保護膜形成用膜或保護膜進行印字的印字工序;及
通過在所述印字工序后加工所述工件,從而制作所述工件加工物的加工工序,
當所述保護膜形成用膜為固化性時,在所述貼附工序后,進一步具有通過使所述保護膜形成用膜固化而形成所述保護膜的固化工序。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





