[發(fā)明專利]一種用于手性分子探測的微結(jié)構(gòu)

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• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN111982824A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 中山科立特光電科技有限公司
• 主分類號: G01N21/19
• 分類號: G01N21/19
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于手性分子探測的微結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：基底、磁性材料層和微結(jié)構(gòu)層，所述磁性材料層置于所述基底上，所述微結(jié)構(gòu)層置于所述磁性材料層上，所述微結(jié)構(gòu)層包括周期性排列的微結(jié)構(gòu)單元，所述微結(jié)構(gòu)單元為非手性結(jié)構(gòu)，所述微結(jié)構(gòu)單元的材料為貴金屬；應(yīng)用時，在所述微結(jié)構(gòu)層上涂覆待測手性分子，在外磁場作用下，圓偏振光傾斜照射所述微結(jié)構(gòu)層，通過測量反射光實現(xiàn)手性分子探測。

2.如權(quán)利要求1所述的用于手性分子探測的微結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述微結(jié)構(gòu)單元為圓盤。

3.如權(quán)利要求2所述的用于手性分子探測的微結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包括支撐部，所述支撐部設(shè)置在所述微結(jié)構(gòu)單元的底部、所述磁性材料層上。

4.如權(quán)利要求3所述的用于手性分子探測的微結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述支撐部為圓盤，所述支撐部的半徑小于所述微結(jié)構(gòu)單元的半徑。

5.如權(quán)利要求4所述的用于手性分子探測的微結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述支撐部設(shè)置在所述微結(jié)構(gòu)單元的中心位置。

6.如權(quán)利要求5所述的用于手性分子探測的微結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述支撐部的高度小于40納米。

7.如權(quán)利要求6所述的用于手性分子探測的微結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述支撐部的材料為非磁性材料。

8.如權(quán)利要求1-7任一項所述的用于手性分子探測的微結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述貴金屬為金。

9.如權(quán)利要求8所述的用于手性分子探測的微結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基底的材料為非磁性材料。

10.如權(quán)利要求9所述的用于手性分子探測的微結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述磁性材料層的材料為鈷、鉍鐵石榴石。