[發明專利]近紅外光敏控制器及應用其的顯示裝置

在審

• 申請號: 202010894883.0
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN114112032A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 郭霄;劉康仲;徐向陽
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G01J1/44
• 分類號: G01J1/44;G02F1/1333;G02F1/13357;G02F1/1347;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 常云敏

1.一種近紅外光敏控制器，其特征在于，包括：

基材；

多條掃描線，位于所述基材上，沿第一方向延伸且相互平行間隔；

多條信號線，位于所述基材上，沿第二方向延伸且相互平行間隔，所述多條信號線與所述多條掃描線絕緣交叉；

多個薄膜晶體管，位于所述基材上且排列成沿所述第一方向的多行和沿所述第二方向的多列，每一個薄膜晶體管的柵極連接一條掃描線，源極連接一條信號線，位于同一行的薄膜晶體管的柵極連接同一條掃描線，位于同一列的薄膜晶體管的源極連接同一條信號線；

矩陣排布的多個光電二極管，位于所述基材上，所述多個光電二極管與所述多個薄膜晶體管一一對應設置，每一個光電二極管連接一個薄膜晶體管的漏極，每一個光電二極管在近紅外光的照射下與所述薄膜晶體管的漏極電性導通；連接所述光電二極管的漏極遮蔽所述光電二極管以防止來自所述基材側的光照射到所述光電二極管上；以及

多個遮光材料單元，多個遮光材料單元與所述多個光電二極管一一對應設置，每一個遮光材料單元至少覆蓋一個光電二極管遠離所述基材的一側，所述遮光材料單元用于讓近紅外光透過而可見光不能透過。

2.根據權利要求1所述的近紅外光敏控制器，其特征在于，每一個光電二極管為硅鍺基的PIN二極管，每一個光電二極管包括依次層疊的P型摻雜的硅層、本征硅鍺層、N型摻雜的硅層。

3.根據權利要求1或2所述的近紅外光敏控制器，其特征在于，每一個光電二極管的一端連接一個薄膜晶體管的漏極，另一端連接公共電極。

4.根據權利要求1至3任一項所述的近紅外光敏控制器，其特征在于，所述近紅外光敏控制器應用于顯示裝置中，且與所述顯示裝置的薄膜晶體管(TFT)基板集成。

5.一種近紅外光敏控制器，其特征在于，包括：

基材；

多條掃描線，位于所述基材上，沿第一方向延伸且相互平行間隔；

多條信號線，位于所述基材上，沿第二方向延伸且相互平行間隔的，所述多條信號線與所述多條掃描線絕緣交叉；

多個薄膜晶體管，位于所述基材上且排列成沿所述第一方向的多行和沿所述第二方向的多列，每一個薄膜晶體管的柵極連接一條掃描線，源極連接一條信號線，位于同一行的薄膜晶體管的柵極連接同一條掃描線，位于同一列的薄膜晶體管的源極連接同一條信號線；

矩陣排布的多個光電二極管，位于所述基材上，所述多個光電二極管與所述多個薄膜晶體管一一對應設置，每一個光電二極管連接一個薄膜晶體管的漏極，每一個光電二極管在可見光的照射下與所述薄膜晶體管的漏極電性導通，連接所述光電二極管的漏極遮蔽所述光電二極管以防止來自所述基材側的光照射到所述光電二極管上；

多個遮光材料單元，多個遮光材料單元與所述多個光電二極管一一對應設置，每一個遮光材料單元至少覆蓋一個光電二極管遠離所述基材的一側，所述遮光材料單元用于讓近紅外光透過而可見光不能透過；以及

位于所述遮光材料單元與所述多個光電二極管的之間的上轉換材料膜，所述上轉換材料膜用以將接收到的近紅外光轉化為可見光。

6.根據權利要求5所述的近紅外光敏控制器，其特征在于，所述上轉換材料膜包括摻雜三價稀土粒子的氧化物或鹵化物基質的納米顆粒。

7.根據權利要求5或6所述的近紅外光敏控制器，其特征在于，所述上轉換材料膜為一連續的整層；或，所述上轉換材料膜包括間隔設置多個轉換單元，每一個轉換單元位于一個光電二極管與該光電二極管對應的一個遮光材料單元之間。

8.根據權利要求5至7任一項所述的近紅外光敏控制器，其特征在于，每一個光電二極管為硅基PIN二極管，所述PIN二極管包括依次層疊的P型摻雜的硅層、本征硅層、N型摻雜的硅層。

9.根據權利要求5至8任一項所述的近紅外光敏控制器，其特征在于，每一個光電二極管的一端連接一個薄膜晶體管的漏極，另一端連接公共電極。