[發(fā)明專利]一種用于相控雷達(dá)移相器的單元棒的制備方法及制備系統(tǒng)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010894578.1
• 申請(qǐng)日: 2020-08-31
• 公開（公告）號(hào): CN112234334A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐冉;梁培東;趙新華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京無線電測量研究所
• 主分類號(hào): H01P11/00
• 分類號(hào): H01P11/00
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 付生輝

本發(fā)明提供一種用于相控雷達(dá)移相器的單元棒的制備方法及制備系統(tǒng)，所述方法包括：加熱一用于相控雷達(dá)移相器的單元棒主體結(jié)構(gòu)的半成品，所述半成品的表面為絕緣表面，然后在所述絕緣表面上形成復(fù)合膜層，再對(duì)形成復(fù)合膜層的半成品進(jìn)行降溫處理，得到所述用于相控雷達(dá)移相器的單元棒，其中，所述降溫處理的過程包括多個(gè)降溫階段，每個(gè)降溫階段設(shè)置對(duì)應(yīng)的設(shè)定降溫溫差，本發(fā)明的制備方法原理清晰，易于實(shí)現(xiàn)與應(yīng)用，實(shí)際操作性好，成本低，并且采用了多個(gè)降溫階段逐步降溫的方式，解決直接降溫絕緣膜層與復(fù)合膜層膨脹系數(shù)不同導(dǎo)致附著力低、均勻性不好的問題，提升了鍍膜合格率，為在絕緣材料表面制備復(fù)合膜層的工藝研究提供新的技術(shù)基礎(chǔ)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及移相器領(lǐng)域，更具體的，涉及一種用于相控雷達(dá)移相器的單元棒的制備方法及制備系統(tǒng)。

背景技術(shù)

目前，移相器大量應(yīng)用于相控陣?yán)走_(dá)，相控陣?yán)走_(dá)由于能無慣性快速掃描，高數(shù)據(jù)率，目標(biāo)容量大，具有精度高、低副瓣性能，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)搜索、識(shí)別、跟蹤、制導(dǎo)、無源探測等多種功能，對(duì)復(fù)雜目標(biāo)環(huán)境的適應(yīng)能力強(qiáng)及抗干擾性能好等優(yōu)勢，在現(xiàn)代武器裝備及一體化聯(lián)合作戰(zhàn)武器裝備體系中占有極其重要的地位，并已被廣泛采用。鐵氧體移相器單元棒是無源相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)必不可少的重要部件，是相控陣的核心組成部分。相控陣?yán)走_(dá)的功能主要是靠移相器來實(shí)現(xiàn)的，其通過移相器改變天線陣面各點(diǎn)相位，進(jìn)而形成天線波束指向，相控陣整體性能和移相器性能息息相關(guān)。相比其它類型移相器而言，鐵氧體移相器單元棒具有小損耗、功率容量大、抗電磁干擾、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，故而成為相控陣?yán)走_(dá)的關(guān)鍵器件之一。

鐵氧體相控雷達(dá)移相器的單元棒表面絕緣膜層是相控雷達(dá)移相器中的關(guān)鍵部分，直接保證產(chǎn)品的性能和可靠性，鐵氧體移相器單元棒中的絕緣膜層表面制備的復(fù)合膜層對(duì)附著力和均勻性要求較高。然而由于絕緣膜層表面光潔度高，膜層不耐高溫，使用目前鍍膜工藝中常用的超聲清洗及離子清洗會(huì)造成膜層損傷，且使用目前的傳統(tǒng)鍍膜工藝會(huì)導(dǎo)致膜層附著力低、均勻性差等問題。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問題中的至少一個(gè)，本發(fā)明提供一種用于相控雷達(dá)移相器的單元棒的制備方法及制備系統(tǒng)，所述方法包括：加熱一用于相控雷達(dá)移相器的單元棒主體結(jié)構(gòu)的半成品，所述半成品的表面為絕緣表面，然后在所述絕緣表面上形成復(fù)合膜層，再對(duì)形成復(fù)合膜層的半成品進(jìn)行降溫處理，得到所述用于相控雷達(dá)移相器的單元棒，其中，所述降溫處理的過程包括多個(gè)降溫階段，每個(gè)降溫階段設(shè)置對(duì)應(yīng)的設(shè)定降溫溫差，本發(fā)明的制備方法原理清晰，易于實(shí)現(xiàn)與應(yīng)用，實(shí)際操作性好，成本低，并且采用了多個(gè)降溫階段逐步降溫的方式，解決直接降溫絕緣膜層與復(fù)合膜層膨脹系數(shù)不同導(dǎo)致附著力低、均勻性不好的問題，提升了鍍膜合格率，為在絕緣材料表面制備復(fù)合膜層的工藝研究提供新的技術(shù)基礎(chǔ)。

本發(fā)明第一方面實(shí)施方式提供了一種用于相控雷達(dá)移相器的單元棒的制備方法，所述方法包括：加熱一用于相控雷達(dá)移相器的單元棒主體結(jié)構(gòu)的半成品，所述半成品的表面為絕緣表面；在所述絕緣表面上形成復(fù)合膜層；對(duì)形成復(fù)合膜層的半成品進(jìn)行降溫處理，得到所述用于相控雷達(dá)移相器的單元棒，其中，所述降溫處理的過程包括多個(gè)降溫階段，每個(gè)降溫階段設(shè)置對(duì)應(yīng)的設(shè)定降溫溫差。

在某些實(shí)施方式中，所述加熱一用于相控雷達(dá)移相器的單元棒主體結(jié)構(gòu)的半成品，包括：

在真空或絕氧環(huán)境下以設(shè)定升溫幅度逐漸加熱所述半成品。

在某些實(shí)施方式中，所述在所述絕緣表面上形成復(fù)合膜層，包括：通過磁控濺射靶在所述半成品表面上濺射形成所述復(fù)合膜層。

在某些實(shí)施方式中，所述復(fù)合膜層包括兩個(gè)累疊的第一復(fù)合子膜層和第二復(fù)合子膜層，以及設(shè)置于該兩個(gè)復(fù)合子膜層之間的絕緣膜層；

所述在所述絕緣表面上形成復(fù)合膜層，包括：

在所述半成品表面上濺射形成所述第一復(fù)合子膜層；

在所述復(fù)合子膜層表面上形成絕緣膜層；

在所述絕緣膜層上形成第二復(fù)合子膜層。