[發明專利]一種用于高精度陀螺的974nm半導體激光器

在審

• 申請號: 202010893595.3
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN111987584A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 陳健;廖柯;熊文濤;劉尚軍;羅慶春;張建春;黃茂
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十四研究所
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022;H01S5/024;H01S5/22;G01C19/72
• 代理公司: 重慶輝騰律師事務所 50215
• 代理人: 王海軍

1.一種用于高精度陀螺的974nm半導體激光器，包括：激光器芯片組件(1)和封裝管殼(2)，激光器芯片組件(1)固定在封裝管殼(2)內部，采用平行縫焊工藝對激光器芯片組件進行氣密性封裝，其特征在于：

所述激光器芯片組件(1)包括：半導體激光器芯片(11)、第一熱沉(12)、第二熱沉(16)、半導體制冷器(13)以及布拉格雙光柵光纖(14)；所述半導體激光器芯片(11)的管芯設置在第一熱沉(12)上，所述第二熱沉(16)設置在第一熱沉(12)下部，半導體制冷器(13)固定在第二熱沉(16)的底部；布拉格雙光柵光纖(14)固定在第二熱沉(16)的頂部平面，且與半導體激光器芯片(11)連接，采用Ω支架(15)固定布拉格雙光柵光纖(14)。

2.根據權利要求1所述的一種用于高精度陀螺的974nm半導體激光器，其特征在于，所述第一熱沉(12)為氮化鋁熱沉；所述第二熱沉(16)為金屬熱沉。

3.根據權利要求1所述的一種用于高精度陀螺的974nm半導體激光器，其特征在于，激光器芯片組件(1)的各個器件采用金屬合金焊料焊接。

4.根據權利要求1所述的一種用于高精度陀螺的974nm半導體激光器，其特征在于，半導體激光器芯片(11)采用正梯形脊波導芯片結構，芯片上設置有脊型電極注入條；芯片設置有外延結構，該外延結構為非對稱寬波導結構。

5.根據權利要求4所述的一種用于高精度陀螺的974nm半導體激光器，其特征在于，外延結構形成方式包括采用大面積均勻性好的金屬有機化學氣進行外延材料生長。

6.根據權利要求4所述的一種用于高精度陀螺的974nm半導體激光器，其特征在于，外延結構包括：從下到上依次沉積有n-GaAs襯底、n-Al_0.45Ga_0.55As包層、n-Al_0.2Ga_0.8As波導層、i-InGaAs量子阱、i-_0.2Ga_0.8As波導層、p-Al_0.25Ga_0.75As波導層、p-Al_0.45Ga_0.55As包層、p-GaAs接觸層。

7.根據權利要求1所述的一種用于高精度陀螺的974nm半導體激光器，其特征在于，所述布拉格雙光柵光纖(14)用于對半導體激光器芯片(11)產生的激光進行波長鎖定。

8.根據權利要求1所述的一種用于高精度陀螺的974nm半導體激光器，其特征在于，所述封裝管殼(2)為蝶形8針管殼；封裝管殼(2)包括金屬底板(22)、保護套(23)、封裝蓋以及8個針管(21)；金屬底板(22)固定在保護套(23)的底部；保護套(23)的前側面和后側面上分別設置有4個針管孔，8個針管(21)分別固定在保護套(23)的針管孔中；保護套(23)的左側設置有光纖引出孔(231)；封裝蓋設置在保護套(23)的頂部，使保護套(23)內部密封。

9.根據權利要求8所述的一種用于高精度陀螺的974nm半導體激光器，所述金屬底板(22)的四個角上設置有通孔(221)，該通孔用于固定半導體激光器。

10.根據權利要求8所述的一種用于高精度陀螺的974nm半導體激光器，其特征在于，所述蝶形8針管殼的金屬底板(22)的長為20nm～24nm，寬為12.0nm～13.0nm；保護套(23)的長為13.0nm～14.0nm，寬為12.0nm～13.0nm，高為7.0nm～8.0nm；針管(21)的直徑為0.40nm～0.50nm，長度為7.0nm～9.0nm；光纖引出孔(231)的高度為4.5nm～5.0nm。