[發(fā)明專利]一種對消式去耦芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010893375.0
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN112164891B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙魯豫;劉洋;王璟珂
• 申請（專利權(quán)）人: 西安朗普達(dá)通信科技有限公司
• 主分類號: H01Q1/52
• 分類號: H01Q1/52;H01L27/02
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 范晴

本發(fā)明公開了一種對消式去耦芯片，包括左右對稱分布的雙T型微帶結(jié)構(gòu)A、B，以及前后對稱分布的山型去耦結(jié)構(gòu)C、D；所述山型去耦結(jié)構(gòu)C、D相對的一側(cè)分別設(shè)有左、右兩個開槽，雙T型微帶結(jié)構(gòu)A、B的前、后端部分別位于山型去耦結(jié)構(gòu)C、D的左、右開槽內(nèi)；雙T型微帶結(jié)構(gòu)A左側(cè)向外有兩個凸起端部，雙T型微帶結(jié)構(gòu)B右側(cè)向外有兩個凸起端。所述對消式去耦芯片采用低溫共燒陶瓷技術(shù)制成。本發(fā)明通過設(shè)計對稱分布的雙T型微帶結(jié)構(gòu)，在兩端加入山型去耦結(jié)構(gòu)，該芯片在一定的頻帶內(nèi)產(chǎn)生去耦作用，用于多天線系統(tǒng)之間去耦，提高多天線系統(tǒng)之間的隔離度，且去耦結(jié)構(gòu)本身不會影響天線的輻射方向。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種對消式去耦芯片。

背景技術(shù)

隨著移動通信系統(tǒng)的快速發(fā)展，射頻頻譜資源日益短缺，如何提供更高質(zhì)量、更快速的通信服務(wù)成為第五代移動通信系統(tǒng)(5G)中的研究熱點。在此背景下，已經(jīng)提出許久的多輸入多輸出(MIMO)通信技術(shù)成為了5G系統(tǒng)中的關(guān)鍵技術(shù)。

多輸入多輸出(MIMO)技術(shù)是指在發(fā)射端和接收端同時使用多個發(fā)射天線和接收天線，使信號通過發(fā)射端和接收端的多個天線發(fā)射和接收。因此，多輸入多輸出技術(shù)能夠在不額外增加通信頻帶和發(fā)射功率的情況下，實現(xiàn)高速、大容量的數(shù)據(jù)傳輸，顯著的提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)吞吐率和信道容量。在多輸入多輸出(MIMO)系統(tǒng)中，天線起著至關(guān)重要的作用，因為天線的特征固有地包含在發(fā)射器和接收器之間的通信信道中。

MIMO技術(shù)是基于天線陣列而言的，隨著對信道容量需求的不斷增長，大規(guī)模MIMO技術(shù)將會成為5G系統(tǒng)的核心，并且緊湊密集的陣列將促進(jìn)這一進(jìn)程。然而，無論是5G基站，或是移動終端中，由于空間限制，隨著天線數(shù)量的增加，天線單元之間的間距相對較小，造成單元之間會形成強(qiáng)烈的互相耦合。在特定的空間內(nèi)，天線單元數(shù)量越多，單元之間的耦合更強(qiáng)，會導(dǎo)致：

（1）空間相關(guān)性的增加；

（2）輻射效率的降低；

（3）單元增益的下降；

（4）信噪比的惡化；

（5）信道容量的減小。

綜上所述，在有限的空間內(nèi)，在MIMO系統(tǒng)中如何有效的減小天線單元之間的耦合，提高單元之間的隔離度，并保證原天線的輻射性能，成為了業(yè)界研究的熱點。

多天線系統(tǒng)，如多輸入多輸出（MIMO）和相控陣系統(tǒng)無線通信系統(tǒng)，以其能增加信道容量和實現(xiàn)波束掃描的特點引起了廣泛關(guān)注。但是由于系統(tǒng)小型化需求日益增加，天線間距逐漸減小使得天線間產(chǎn)生相互耦合。天線間的相互耦合會給多天線系統(tǒng)性能帶來許多負(fù)面的影響，如輻射方向圖失真、輻射性能變差，輸入阻抗和輻射阻抗變化，天線輻射效率降低等。為了保證系統(tǒng)的優(yōu)異性能，提高天線之間的隔離度就尤為重要。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的是：提供一種對消式去耦芯片，利用場對消的方法提高兩個緊密相鄰天線之間的隔離度來實現(xiàn)去耦目的。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：

一種對消式去耦芯片，包括左右對稱分布的雙T型微帶結(jié)構(gòu)A、B，以及前后對稱分布的山型去耦結(jié)構(gòu)C、D；所述山型去耦結(jié)構(gòu)C、D相對的一側(cè)分別設(shè)有左、右兩個開槽，雙T型微帶結(jié)構(gòu)A、B的前、后端部分別位于山型去耦結(jié)構(gòu)C、D的左、右開槽內(nèi)；雙T型微帶結(jié)構(gòu)A左側(cè)向外有兩個凸起端部A1、A2，雙T型微帶結(jié)構(gòu)B右側(cè)向外有兩個凸起端部B1、B2。

優(yōu)選的，所述對消式去耦芯片采用低溫共燒陶瓷技術(shù)，或者薄膜技術(shù)、硅片半導(dǎo)體技術(shù)、多層電路板技術(shù)中的一種制成。

優(yōu)選的，所述對消式去耦芯片帶有1-6共六個管腳，其中1、2管腳對應(yīng)凸起端部A1、B1，分別接天線，3、4管腳對應(yīng)凸起端部B2、A2,?分別接天線饋電端，5、6管腳對應(yīng)山型去耦結(jié)構(gòu)C、D，均接地。