[發明專利]LED芯片及LED芯片制造方法在審
| 申請號： | 202010892949.2 | 申請日： | 2020-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN111864026A | 公開（公告）日： | 2020-10-30 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 聚燦光電科技（宿遷）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38;H01L33/44 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈曉敏 |
| 地址： | 223800 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 芯片 制造 方法 | ||
1.一種LED芯片，包括襯底和設于其上的N型半導體層、發光層、P型半導體層、透明導電層、N電極和P電極，其特征在于，
所述透明導電層設有第一窗口區，所述第一窗口區設于所述N型半導體層上方，暴露出所述N型半導體層；
于所述第一窗口區內，所述N型半導體層上設有金屬層，所述金屬層上方設有絕緣層，所述金屬層與所述透明導電層電性連接；
所述N電極包括N電極焊盤部和N電極擴展部，N電極焊盤部設于所述絕緣層上方，所述N電極擴展部電性連接至所述N型半導體層。
2.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半導體層和所述發光層形成有一貫通的N電極連接區，暴露出所述N型半導體層，所述透明導電層設有暴露所述N電極連接區的第二窗口區。
3.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述N電極還包括與所述N電極焊盤部相連的N電極擴展部，所述N電極擴展部延伸至所述N電極連接區內與所述N型半導體層電性連接。
4.根據權利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述絕緣層還覆蓋于位于所述N電極擴展部下方的所述N型半導體層和所述N電極連接區的部分側壁面。
5.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述金屬層的材質為鉻、或鈦、或鋁、或鎳、或鉑、或金或上述金屬形成的合金，其厚度范圍為0.5-10nm。
6.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述絕緣層的材質為二氧化硅。
7.一種LED芯片制造方法，其特征在于，包括步驟：
提供一襯底，在所述襯底上生長N型半導體層、發光層和P型半導體層，刻蝕部分所述發光層和所述P型半導體層形成N電極連接區，暴露出所述N型半導體層；
在所述P型半導體層上形成一金屬層；
在所述P型半導體層上形成透明導電層，并在所述透明導電層內形成暴露所述金屬層的第一窗口區，和暴露所述N電極連接區的第二窗口區；
在所述金屬層上形成絕緣層；
在所述透明導電層上形成P電極，在所述絕緣層上形成N電極焊盤部，在所述N電極連接區形成與所述N電極焊盤部相連的N電極擴展部。
8.根據權利要求7所述的LED芯片制造方法，其特征在于，于所述N電極擴展部下方的所述N型半導體層和所述N電極連接區的部分側壁面也形成有所述絕緣層。
9.根據權利要求7所述的LED芯片制造方法，其特征在于，所述金屬層的材質為鉻、或鈦、或鋁、或鎳、或鉑、或金或上述金屬形成的合金，其厚度范圍為0.5-10nm。
10.根據權利要求7所述的LED芯片制造方法，其特征在于，所述絕緣層的材質為二氧化硅。
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