[發明專利]半導體裝置及其控制方法

在審

• 申請號: 202010892487.4
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN113497127A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 諏訪剛史;末代知子;巖鍜治陽子
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/739
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 牛玉婷

實施方式涉及半導體裝置及其控制方法。實施方式的半導體裝置具備：半導體部的背面側的第一電極；表面側的第二電極；所述半導體部與所述第二電極之間的第一以及第二控制電極；所述第一以及第二控制電極與所述第一電極之間的第三控制電極；電連接于所述第一控制電極的第一布線；電連接于所述第二控制電極的第二布線；以及連接于所述多個第三控制電極的第三布線。所述第一以及第二控制電極位于所述半導體部中，從所述半導體部電絕緣。所述第一以及第二控制電極在沿著所述半導體部的所述表面的第一方向上并排地配置，相互電分離。所述第三控制電極位于所述半導體部中，從所述半導體部電絕緣，從所述第一以及第二控制電極電絕緣。

相關申請

本申請享受以日本專利申請2020^-47541號(申請日：2020年3月18日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的所有內容。

技術領域

實施方式涉及半導體裝置及其控制方法。

背景技術

功率用半導體裝置中期望減少開關損耗。

發明內容

實施方式提供能夠減少關斷損耗的半導體裝置及其控制方法。

實施方式的半導體裝置具備：半導體部；第一電極，設于所述半導體部的背面側；第二電極，設于所述半導體部的表面側；第一以及第二控制電極，設于所述半導體部與所述第二電極之間；分別設于所述第一以及第二控制電極與所述第一電極之間的多個第三控制電極；電連接于所述第一控制電極的第一布線；電連接于所述第二控制電極的第二布線；以及連接于所述多個第三控制電極的第三布線。所述第一控制電極位于所述半導體部中，利用第一絕緣部從所述半導體部電絕緣，利用第一層間絕緣膜與所述第二電極電絕緣。所述第二控制電極在所述半導體部與所述第二電極之間，在沿著所述半導體部的所述表面的第一方向上與所述第一控制電極并排地配置，位于所述半導體部中，利用第二絕緣部從所述半導體部電絕緣，利用第二層間絕緣膜與所述第二電極電絕緣，且從所述第一控制電極電分離。所述多個第三控制電極位于所述半導體部中，分別利用第三絕緣部從所述半導體部電絕緣，利用第四絕緣部分別與所述第一以及第二控制電極電絕緣。所述半導體層包含第一導電型的第一層、第二導電型的第二層、所述第一導電型的第三層、以及所述第二導電型的第四層。所述第一層在所述第一電極與所述第二電極之間延伸，所述多個第三控制電極位于所述第一層中。所述第二層設于所述第一層與所述第二電極之間，隔著所述第一絕緣部而與所述第一控制電極面對，隔著所述第二絕緣部而與所述第二控制電極面對。所述第三層選擇性地設于所述第二層與所述第二電極之間，與所述第一絕緣部相接，電連接于所述第二電極。所述第四層設于所述第一層與所述第一電極之間，電連接于所述第一電極。

附圖說明

圖1是例示第一實施方式的半導體裝置的示意剖面圖。

圖2的(a)～(c)是例示第一實施方式的半導體裝置的其他剖面的示意圖。

圖3是例示第一實施方式的半導體裝置的控制方法的時序圖。

圖4的(a)以及(b)是例示第一實施方式的第一變形例的半導體裝置的示意剖面圖。

圖5的(a)以及(b)是例示第一實施方式的第二變形例的半導體裝置的示意剖面圖。

圖6是例示第一實施方式的第三變形例的半導體裝置的示意剖面圖。

圖7的(a)以及(b)是例示第一實施方式的第四變形例的半導體裝置的示意剖面圖。

圖8是例示第二實施方式的半導體裝置的示意剖面圖。

圖9的(a)以及(b)是例示第二實施方式的變形例的半導體裝置的示意剖面圖。

具體實施方式