[發明專利]一種抗輻照的共島LPNP和SPNP版圖結構有效
| 申請號： | 202010889839.0 | 申請日： | 2020-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN111968971B | 公開（公告）日： | 2023-06-06 |
| 發明（設計）人： | 鐘詠梅;劉鵬;方雷;尤路;魏海龍 | 申請（專利權）人： | 西安微電子技術研究所 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 李鵬威 |
| 地址： | 710065 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 輻照 lpnp spnp 版圖 結構 | ||
1.一種抗輻照的共島LPNP和SPNP版圖結構，其特征在于，包括LPNP的基極（11）、LPNP的集電極（12）、LPNP的發射極（13）、SPNP的發射極（21）、基區復合墻（3）、襯底（4）、外延層溝道電阻（5）和埋層（6）；
所述襯底（4）的表面覆蓋有外延層，外延層和襯底（4）之間設置有埋層（6）；
所述外延層上排布有LPNP的基極（11）、LPNP的集電極（12）、LPNP的發射極（13）、基區復合墻（3）和SPNP的發射極（21）；
所述基區復合墻（3）將共島的LPNP和SPNP分隔形成LPNP隔離島和SPNP隔離島，LPNP隔離島和SPNP隔離島之間通過外延層連通，形成外延層溝道電阻（5）；
基區復合墻（3）完全包圍SPNP的發射極（21），作為SPNP的集電極；
所述LPNP的基極（11）通過外延層連接外延溝道電阻（5）的一端，外延溝道電阻（5）的另一端連接SPNP的基極；
所述埋層（6）朝向SPNP隔離島方向延伸至基區復合墻（3）下方，形成并聯外延層溝道電阻（5）的埋層電阻（9）；
所述埋層（6）的延伸邊沿與基區復合墻（3）的邊沿處于同一豎直平面，并穿過基區復合墻（3）。
2.根據權利要求1所述的一種抗輻照共島LPNP和SPNP版圖結構，其特征在于，所述基區復合墻（3）與LPNP和SPNP版圖結構中的?P＋基區層的深度相同。
3.根據權利要求1所述的一種抗輻照共島LPNP和SPNP版圖結構，其特征在于，所述襯底（4）為P型襯底。
4.根據權利要求1所述的一種抗輻照共島LPNP和SPNP版圖結構，其特征在于，所述外延層為N-型外延層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
