[發明專利]基于Mxene的寬頻和廣角完美吸收體及其制備方法

有效

• 申請號: 202010889662.4
• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號: CN112147724B
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發明（設計）人: 王吉;王曉莉;唐智勇
• 申請（專利權）人: 國家納米科學中心
• 主分類號: G02B5/00
• 分類號: G02B5/00;G02B1/00
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 錢云

1.一種基于Mxene的寬頻和廣角完美吸收體，其特征在于，為設在基底上的多層結構，所述多層結構從下至上依次為Mxene背板層、間隔層和金納米顆粒層；

所述Mxene背板層的厚度為100～500nm；所述間隔層的厚度為10～100nm；所述金納米顆粒層為單層隨機排列的不同形狀和大小的金納米顆粒，所述金納米顆粒的粒徑為20～100nm；

所述金納米顆粒層覆蓋所述間隔層的覆蓋率為65～85％。

2.根據權利要求1所述的基于Mxene的寬頻和廣角完美吸收體，其特征在于，所述間隔層為絕緣體或半導體，選用聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、二氧化硅或二氧化鈦。

3.根據權利要求2所述的基于Mxene的寬頻和廣角完美吸收體，其特征在于，所述基底為SiO₂/Si基底。

4.根據權利要求3所述的基于Mxene的寬頻和廣角完美吸收體，其特征在于，在300～1800nm波長范圍內，所述完美吸收體的吸光度大于90％，且不依賴入射光角度。

5.權利要求1～4任一項所述的基于Mxene的寬頻和廣角完美吸收體的制備方法，其特征在于，包括：

將各層原料先分別配制成溶液，再在基底上采用旋涂或滴涂的方式依次制備形成Mxene背板層、間隔層和金納米顆粒層。

6.根據權利要求5所述的基于Mxene的寬頻和廣角完美吸收體的制備方法，其特征在于，先采用原位刻蝕方法制備得到Mxene粉末，然后將其溶于水配制成溶液，再旋涂在基底上形成所述Mxene背板層。

7.根據權利要求5所述的基于Mxene的寬頻和廣角完美吸收體的制備方法，其特征在于，先采用種子介導的生長方法制備得到金納米顆粒，然后將其分散于水中形成溶液，再滴涂至所述間隔層的表面上。