[發明專利]一種靜電放電晶體管在審
| 申請號: | 202010889460.X | 申請日: | 2020-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN111916446A | 公開(公告)日: | 2020-11-10 |
| 發明(設計)人: | 江叔勤 | 申請(專利權)人: | 深圳市東光晶鵬電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/00 |
| 代理公司: | 深圳市成為知識產權代理事務所(普通合伙) 44704 | 代理人: | 王艷 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市羅湖*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 靜電 放電 晶體管 | ||
1.一種靜電放電晶體管,包括本體(1),其特征在于:所述本體(1)的底部設置有插腳(2),所述本體(1)包含有防護層(3)和芯層(4),所述芯層(4)位于防護層(3)的外表面,所述防護層(3)包含有第一防腐蝕層(301)、第二防腐蝕層(302)、抗老化層(303)和絕緣層(304),所述第一防腐蝕層(301)位于第二防腐蝕層(302)的外表面,所述第二防腐蝕層(302)位于抗老化層(303)的外表面,所述抗老化層(303)位于絕緣層(304)的外表面。
2.根據權利要求1所述的一種靜電放電晶體管,其特征在于:所述第一防腐蝕層(301)為聚酰胺樹脂涂層,所述第二防腐蝕層(302)為環氧樹脂涂層。
3.根據權利要求1所述的一種靜電放電晶體管,其特征在于:所述抗老化層(303)為硅膠層,所述絕緣層(304)為硫化橡膠層。
4.根據權利要求1所述的一種靜電放電晶體管,其特征在于:所述第一防腐蝕層(301)的厚度為20μm-25μm,所述第二防腐蝕層(302)的厚度為25μm-30μm。
5.根據權利要求1所述的一種靜電放電晶體管,其特征在于:所述抗老化層(303)的厚度為40μm-45μm,所述絕緣層(304)的厚度為0.1mm-0.15mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





