[發明專利]芯片封裝結構及其形成方法在審
| 申請號： | 202010889370.0 | 申請日： | 2020-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN112447658A | 公開（公告）日： | 2021-03-05 |
| 發明（設計）人： | 陳威宇;蘇安治 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 封裝 結構 及其 形成 方法 | ||
1.一種芯片封裝結構，包括：
布線結構；
第一芯片結構，位于所述布線結構上方；
第一模制層，圍繞所述第一芯片結構；
第二芯片結構，位于所述第一芯片結構和所述第一模制層上方；
第二模制層，圍繞所述第二芯片結構并且位于所述第一芯片結構和所述第一模制層上方；
第三芯片結構，位于所述第二芯片結構和所述第二模制層上方；
第三模制層，圍繞所述第三芯片結構并且位于所述第二芯片結構和所述第二模制層上方，其中，所述第二模制層的第一側壁和所述第三模制層的第二側壁基本共面；以及
第四模制層，圍繞所述第二模制層和所述第三模制層，其中，所述第一模制層的第三側壁和所述第四模制層的第四側壁基本共面。
2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，還包括：
第一導電結構，穿過所述第二模制層并且連接至所述第三芯片結構。
3.根據權利要求2所述的芯片封裝結構，還包括：
第二導電結構，穿過所述第一模制層并且連接至所述第一導電結構和所述布線結構。
4.根據權利要求3所述的芯片封裝結構，還包括：
第三導電結構，穿過所述第一模制層并且連接至所述第二芯片結構和所述布線結構。
5.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，還包括：
絕緣層，位于所述第一芯片結構和所述第二芯片結構之間、位于所述第一模制層和所述第二芯片結構之間以及位于所述第一模制層和所述第二模制層之間。
6.根據權利要求5所述的芯片封裝結構，其中，所述絕緣層還位于所述第一模制層和所述第四模制層之間。
7.根據權利要求6所述的芯片封裝結構，其中，所述絕緣層的第五側壁、所述第一模制層的第三側壁和所述第四模制層的第四側壁基本共面。
8.一種芯片封裝結構，包括：
布線結構；
第一芯片結構，位于所述布線結構上方；
第一模制層，圍繞所述第一芯片結構；
第一導電結構，穿過所述第一模制層并且連接至所述布線結構；
第二芯片結構，位于所述第一芯片結構、所述第一模制層和所述第一導電結構上方，其中，所述第二芯片結構通過所述第一導電結構電連接至所述布線結構；
第二模制層，圍繞所述第二芯片結構并且位于所述第一芯片結構和所述第一模制層上方；
第三芯片結構，位于所述第二芯片結構和所述第二模制層上方；
第三模制層，圍繞所述第三芯片結構并且位于所述第二芯片結構和所述第二模制層上方；以及
第四模制層，圍繞所述第二模制層和所述第三模制層，其中，所述第一模制層的第一側壁和所述第四模制層的第二側壁基本共面。
9.根據權利要求8所述的芯片封裝結構，其中，所述第二模制層的第三側壁與所述第三模制層的第四側壁基本共面。
10.一種形成芯片封裝結構的方法，包括：
形成圍繞第一芯片結構的第一模制層；
在所述第一芯片結構和所述第一模制層上方設置第二芯片結構；
形成圍繞所述第二芯片結構并且位于所述第一芯片結構和所述第一模制層上方的第二模制層；
形成圍繞所述第一模制層和所述第二模制層的第三模制層；
在所述第二芯片結構、所述第二模制層和所述第三模制層上方設置第三芯片結構；以及
形成圍繞所述第三芯片結構并且位于所述第二芯片結構、所述第二模制層和所述第三模制層上方的第四模制層。
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