[發明專利]利用微波等離子體化學氣相沉積法制備硒化鉛薄膜的方法有效
| 申請號： | 202010889166.9 | 申請日： | 2020-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN112017945B | 公開（公告）日： | 2022-02-11 |
| 發明（設計）人： | 于樂泳;馮雙龍;魏興戰;史浩飛 | 申請（專利權）人： | 中國科學院重慶綠色智能技術研究院;重慶大學 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;C23C16/30;C23C16/48 |
| 代理公司： | 北京元本知識產權代理事務所(普通合伙) 11308 | 代理人： | 王美蘭 |
| 地址： | 400714 *** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 微波 等離子體 化學 沉積 法制 備硒化鉛 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種硒化鉛薄膜的制備方法，其特征在于，其制備方法包括以下步驟：
（1）采用熱蒸發法在硅或二氧化硅襯底上生長硒化鉛薄膜；
（2）采用微波等離子體化學氣相沉積法處理硒化鉛薄膜；
步驟（2）所述微波等離子體化學氣相沉積法中等離子刻蝕功率為65-75W，壓強為0.5-1.5×10-1Pa；
步驟（2）所述微波等離子體化學氣相沉積法中氣體為氬氣；
所述微波等離子體化學氣相沉積法中微波等離子體化學氣相沉積設備的功率的比例調至為400-700W；
步驟（2）所述微波等離子體化學氣相沉積法使硒化鉛出現燒結現象。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟（1）前對所述襯底清洗后用高純氮氣吹干。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）所述熱蒸發法具體為：將硒化鉛粉末在300-400W功率下，5.0-6.0×104Pa壓力下加熱。
4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述硒化鉛粉末的純度≥99.99%。
5.根據權利要求1-4任一所述的制備方法，其特征在于，所述硒化鉛薄膜光電響應率≥126.4A/W。
6.權利要求5所述的制備方法制備的硒化鉛薄膜在紅外探測器和/或太陽能電池和/或激光二極管中的應用。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
