[發明專利]包括輔助層的顯示裝置

在審

• 申請號: 202010888881.0
• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號: CN112447767A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 韓在范;樸英吉;樸精花;安娜利;鄭洙任;金起男;金紋成
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L29/786
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 袁媛;孔麗君

1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

基板；

設置在所述基板上的第二半導體層，所述第二半導體層包括Si；

第二柵下電極，所述第二柵下電極與所述第二半導體層的溝道區重疊；

第二柵絕緣層，所述第二柵絕緣層設置在所述第二柵下電極上；

第二柵上電極和阻光層，所述第二柵上電極和所述阻光層設置在所述第二柵絕緣層上；

第一輔助層，所述第一輔助層設置在所述第二柵上電極和所述阻光層上；

與所述阻光層重疊的第一半導體層，所述第一半導體層包括氧化物半導體；以及

第一柵電極，所述第一柵電極與所述第一半導體層的溝道區重疊，

其中所述第一輔助層包括絕緣層以及選自F、Cl和C中的至少一種材料，所述絕緣層包括選自SiN_x、SiO_x和SiON中的至少一種化合物，其中下標x是1與4之間的整數。

2.如權利要求1所述的顯示裝置，其中：

所述第一輔助層中包括的選自F、Cl和C中的所述至少一種材料的含量是所述第二柵絕緣層中包括的選自F、Cl和C中的至少一種材料的含量的三倍或更多倍。

3.如權利要求1所述的顯示裝置，其中：

所述第一輔助層的厚度在至的范圍內。

4.如權利要求1所述的顯示裝置，其中：

所述第二柵上電極和所述阻光層包括相同的材料。

5.如權利要求1所述的顯示裝置，其中：

所述阻光層與所述第一半導體層重疊并且具有與所述第一半導體層的區域相似的區域。

6.如權利要求1所述的顯示裝置，進一步包括：

設置在所述第一柵電極上的第二輔助層，

其中所述第二輔助層包括絕緣層以及選自F、Cl和C中的至少一種材料，所述絕緣層包括選自SiN_x、SiO_x和SiON中的至少一種化合物，其中下標x是1與4之間的整數，并且

所述第二輔助層中包括的選自F、Cl和C中的所述至少一種材料的含量是所述第二柵絕緣層中包括的選自F、Cl和C中的至少一種材料的三倍或更多倍。

7.如權利要求1所述的顯示裝置，進一步包括：

第三輔助層，所述第三輔助層設置在所述第二柵下電極與所述第二柵絕緣層之間，

其中所述第三輔助層包括絕緣層以及選自F、Cl和C中的至少一種材料，所述絕緣層包括選自SiN_x、SiO_x和SiON中的至少一種化合物，其中下標x是1與4之間的整數，并且

所述第三輔助層中包括的所述選自F、Cl和C中的所述至少一種材料的含量是所述第二柵絕緣層中包括的選自F、Cl和C中的至少一種材料的含量的三倍或更多倍。

8.如權利要求1所述的顯示裝置，進一步包括：

第二輔助層，所述第二輔助層設置在所述第一柵電極上；以及第三輔助層，所述第三輔助層設置在所述第二柵下電極與所述第二柵絕緣層之間，

其中所述第二輔助層和所述第三輔助層中的每一個包括絕緣層以及選自F、Cl和C中的至少一種材料，所述絕緣層包括選自SiN_x、SiO_x和SiON中的至少一種化合物，其中下標x是1與4之間的整數，并且

所述第二輔助層和所述第三輔助層中包括的選自F、Cl和C中的所述至少一種材料的含量是所述第二柵絕緣層中包括的選自F、Cl和C中的至少一種材料的三倍或更多倍。