[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其工藝腔室

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010888658.6
• 申請(qǐng)日: 2020-08-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112011776B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣秉軒
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/35
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/35;C23C14/54;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的工藝腔室，其特征在于，包括腔體及設(shè)置于所述腔體內(nèi)的準(zhǔn)直器；

所述準(zhǔn)直器包括固定部及活動(dòng)部，所述固定部及所述活動(dòng)部均呈環(huán)狀，其上均設(shè)置有多個(gè)沿所述腔體軸向延伸的開(kāi)口，所述固定部與所述腔體連接，所述活動(dòng)部可移動(dòng)地嵌套于所述固定部?jī)?nèi)，并且所述活動(dòng)部能在所述固定部的軸向上選擇性定位，以調(diào)節(jié)所述活動(dòng)部的頂面與所述固定部的頂面之間的距離。

2.如權(quán)利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述活動(dòng)部包括第一活動(dòng)部及第二活動(dòng)部，所述第一活動(dòng)部可移動(dòng)地嵌套于所述固定部?jī)?nèi)，并且所述第一活動(dòng)部能在所述固定部的軸向上選擇性定位，所述第二活動(dòng)部可移動(dòng)地嵌套于所述第一活動(dòng)部?jī)?nèi)，并且所述第二活動(dòng)部能在所述第一活動(dòng)部的軸向上選擇性定位。

3.如權(quán)利要求2所述的工藝腔室，其特征在于，所述固定部及所述第一活動(dòng)部及所述第二活動(dòng)部均包括內(nèi)周壁、外周壁及多個(gè)側(cè)板，所述內(nèi)周壁及所述外周壁嵌套設(shè)置，多個(gè)所述側(cè)板沿徑向均勻地設(shè)置于所述內(nèi)周壁及所述外周壁之間，用于與所述內(nèi)周壁及外周壁合圍形成多個(gè)所述開(kāi)口。

4.如權(quán)利要求3所述的工藝腔室，其特征在于，所述固定部的內(nèi)周壁與所述第一活動(dòng)部的外周壁之間具有多個(gè)第一定位結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述第一定位結(jié)構(gòu)沿所述第一活動(dòng)部軸向均勻分布；所述第一活動(dòng)部的內(nèi)周壁與所述第二活動(dòng)部的外周壁之間具有多個(gè)第二定位結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述第二定位結(jié)構(gòu)沿所述第二活動(dòng)部的軸向均勻分布。

5.如權(quán)利要求4所述的工藝腔室，其特征在于，所述第一定位結(jié)構(gòu)包括第一定位孔、第二定位孔及第一定位件，所述固定部的內(nèi)周壁上沿軸向均勻設(shè)置有多個(gè)所述第一定位孔，對(duì)應(yīng)于所述第一定位孔，所述第一活動(dòng)部的外周壁上沿軸向均勻設(shè)置有多個(gè)所述第二定位孔；所述第一定位件穿設(shè)于所述第一定位孔及所述第二定位孔內(nèi)，將所述第一活動(dòng)部定位于所述固定部上。

6.如權(quán)利要求5所述的工藝腔室，其特征在于，所述第二定位結(jié)構(gòu)包括第三定位孔、第四定位孔及第二定位件，所述第一活動(dòng)部的內(nèi)周壁上沿軸向均勻設(shè)置有多個(gè)所述第三定位孔，對(duì)應(yīng)于所述第三定位孔，所述第二活動(dòng)部的外周壁上沿軸向均勻設(shè)置有多個(gè)所述第四定位孔；所述第二定位件穿設(shè)于所述第三定位孔及所述第四定位孔內(nèi)，將所述第二活動(dòng)部定位于所述第一活動(dòng)部上。

7.如權(quán)利要求6所述的工藝腔室，其特征在于，所述第一定位件及所述第二定位件均包括本體及定位銷(xiāo)，所述定位銷(xiāo)間隔設(shè)置在所述本體上，所述第一定位件的兩個(gè)所述定位銷(xiāo)的軸間距與任意兩個(gè)相鄰的所述第一定位孔的軸間距相同，所述第二定位件的兩個(gè)所述定位銷(xiāo)的軸間距與任意兩個(gè)相鄰的所述第三定位孔的軸間距相同。

8.如權(quán)利要求2-7任一項(xiàng)所述的工藝腔室，其特征在于，所述第一活動(dòng)部的頂面與所述固定部的頂面之間的距離為3～15毫米，所述第二活動(dòng)部的頂面與所述固定部的頂面之間的距離為5～20毫米。

9.如權(quán)利要求2-7任一項(xiàng)所述的工藝腔室，其特征在于，所述固定部、所述第一活動(dòng)部及所述第二活動(dòng)部均呈圓環(huán)狀，所述第一活動(dòng)部半徑的數(shù)值范圍為152～155毫米，所述第二活動(dòng)部半徑的數(shù)值范圍為76～80毫米。

10.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9的任意一項(xiàng)所述的工藝腔室。