[發明專利]石墨/金/聚苯胺贗電容電極材料及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 202010886732.0
• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號: CN112002559B
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發明（設計）人: 劉守法;何子游;喬勛
• 申請（專利權）人: 西京學院
• 主分類號: H01G11/24
• 分類號: H01G11/24;H01G11/30;H01G11/32;H01G11/48
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 劉妮

1.一種石墨/金/聚苯胺贗電容電極材料的制備方法，其特征在于，該方法包含：

在0.7～1.1v的偏壓下實施電極沉積，以鍍有金膜的石墨基底作為陰極，將陽極和陰極在電鍍液中，于室溫下進行金納米線沉積，沉積時間為1～2h，以獲得金納米線/石墨基底；其中，所述電鍍液包含以下濃度的組分：5～11mmol/LHAuCl₄、10～20mmol/L CTAC和20～38mmol/LNaNO₃；

以含0.1～0.2mol/L苯胺和1～2mol/L H₂SO₄的溶液作為電解質，利用三電極系統，采用循環伏安法在金納米線表面聚合生成聚苯胺，三電極系統三個電極包括：以所述金納米線/石墨基底為工作電極，以及對電極和參比電極，工作電極的工作電壓范圍為-0.4～1.0v，聚合掃描圈數為3～10，聚合掃描速率為25～200mV/s，以獲得石墨/金/聚苯胺贗電容電極材料。

2.根據權利要求1所述的石墨/金/聚苯胺贗電容電極材料的制備方法，其特征在于，所述石墨基底的金膜鍍層的厚度為5nm。

3.根據權利要求1所述的石墨/金/聚苯胺贗電容電極材料的制備方法，其特征在于，所述三電極系統中，對電極包括：Pt電極，參比電極包括：Ag/AgCl電極。

4.根據權利要求1所述的石墨/金/聚苯胺贗電容電極材料的制備方法，其特征在于，所述金納米線/石墨基底制備中，所述陽極包括：碳基底。

5.根據權利要求1所述的石墨/金/聚苯胺贗電容電極材料的制備方法，其特征在于，所述電鍍液的制備，將HAuCl₄、CTAC和NaNO₃依次溶解在去離子水中，超聲處理，獲得電鍍液。

6.根據權利要求1所述的石墨/金/聚苯胺贗電容電極材料的制備方法，其特征在于，所述金納米線/石墨基底制備中，待金納米線沉積結束后，室溫下在氮氣氣流中進行干燥。

7.根據權利要求1所述的石墨/金/聚苯胺贗電容電極材料的制備方法，其特征在于，所述循環伏安法在金納米線表面聚合生成聚苯胺過程中，待反應完成后除去溶液殘留，在室溫下在氮氣氣流中干燥電極。

8.一種石墨/金/聚苯胺贗電容電極材料，其特征在于，該贗電容電極材料以鍍有金膜的石墨作為基底，在石墨基底表面沉積有金納米線，在該金納米線表面聚合有聚苯胺。

9.根據權利要求8所述的石墨/金/聚苯胺贗電容電極材料，其特征在于，所述贗電容電極材料通過如權利要求1-7中任意一項所述的制備方法獲得。

10.如權利要求8或9所述的石墨/金/聚苯胺贗電容電極材料在贗電容器中的應用。