[發明專利]PECVD設備的加熱系統、加熱控制方法及PECVD設備有效
| 申請號: | 202010885351.0 | 申請日: | 2020-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN111979530B | 公開(公告)日: | 2022-10-18 |
| 發明(設計)人: | 朱輝;劉帥;肖潔;吳得軼;張春成;趙志然 | 申請(專利權)人: | 湖南紅太陽光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/46 | 分類號: | C23C16/46;C23C16/52;C23C16/50 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 戴玲 |
| 地址: | 410205 湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | pecvd 設備 加熱 系統 控制 方法 | ||
1.一種PECVD設備的加熱系統,其特征在于,包括爐體(7)和半導體加熱單元(1),所述爐體(7)包括爐殼(71)、爐體保溫層(72)、爐絲(73)、反應管(74)和媒介管道(9),所述爐體保溫層(72)套于爐殼(71)內,所述反應管(74)套于爐體保溫層(72)內,所述爐絲(73)纏繞在反應管(74)的外周,所述半導體加熱單元(1)的熱端設有熱媒輸出管(11)和熱媒輸入管(12)且冷端設有冷媒輸出管(13)和冷媒輸入管(14),所述媒介管道(9)設于爐絲(73)與反應管(74)之間或者設于反應管(74)內,所述熱媒輸出管(11)和熱媒輸入管(12)分別與媒介管道(9)的入口和出口連接,所述冷媒輸出管(13)和冷媒輸入管(14)分別與媒介管道(9)的入口和出口連接,半導體在通電的條件下能夠同時在半導體的熱端進行加熱和在冷端進行制冷,熱端加熱對反應管(74)進行輔助加熱,冷端制冷對反應管(74)進行冷卻。
2.根據權利要求1所述的PECVD設備的加熱系統,其特征在于,所述熱媒輸出管(11)與媒介管道(9)的入口之間設有補熱劑支管(44),所述冷媒輸出管(13)與媒介管道(9)的入口之間設有補冷劑支管(45)。
3.根據權利要求1所述的PECVD設備的加熱系統,其特征在于,所述熱媒輸出管(11)與媒介管道(9)的入口之間設有第一熱媒開關(91),所述冷媒輸出管(13)與媒介管道(9)的入口之間設有第一冷媒開關(92);所述熱媒輸入管(12)與媒介管道(9)的出口之間設有第二熱媒開關(93),所述冷媒輸入管(14)與媒介管道(9)的出口之間設有第二冷媒開關(94)。
4.根據權利要求1至3任意一項所述的PECVD設備的加熱系統,其特征在于,所述爐殼(71)的外周設有第一冷媒管道(41),所述第一冷媒管道(41)的入口和出口分別與冷媒輸出管(13)和冷媒輸入管(14)連接。
5.根據權利要求4所述的PECVD設備的加熱系統,其特征在于,所述第一冷媒管道(41)設置多根,各第一冷媒管道(41)沿周向呈環形布置,且各第一冷媒管道(41)相互平行,各第一冷媒管道(41)的入口連接一個爐體冷媒總入口(411),各第一冷媒管道(41)的出口連接一個爐體冷媒總出口(412),所述爐體冷媒總入口(411)低于爐體冷媒總出口(412)。
6.根據權利要求1至3任意一項所述的PECVD設備的加熱系統,其特征在于,所述爐體(7)的兩端設有密封法蘭(8),所述密封法蘭(8)內設有環形冷媒管道(81),所述環形冷媒管道(81)的入口與冷媒輸出管(13)連接,且出口與冷媒輸入管(14)連接。
7.一種基于權利要求1至6任意一項所述的PECVD設備的加熱系統的加熱控制方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、一次升溫:將冷媒輸出管(13)與媒介管道(9)入口切斷,將冷媒輸入管(14)與媒介管道(9)出口切斷,將熱媒輸出管(11)與媒介管道(9)入口接通,將熱媒輸入管(12)與媒介管道(9)出口接通,半導體加熱單元(1)熱端的熱媒輸出管(11)輸出的熱媒流經媒介管道(9)對反應管(74)內的石墨舟(5)加熱,同時對爐絲(73)加熱,進行第一種工藝;
S2、主動降溫:將熱媒輸出管(11)與媒介管道(9)入口切斷,將熱媒輸入管(12)與媒介管道(9)出口切斷,停止對爐絲(73)加熱,將冷媒輸出管(13)與媒介管道(9)的入口接通,將冷媒輸入管(14)與媒介管道(9)出口接通,半導體加熱單元(1)冷端的冷媒輸出管(13)輸出的冷媒流經媒介管道(9)對反應管(74)內的石墨舟(5)冷卻;
S3、二次升溫:將冷媒輸出管(13)與媒介管道(9)入口切斷,將冷媒輸入管(14)與媒介管道(9)出口切斷,將熱媒輸出管(11)與媒介管道(9)入口接通,將熱媒輸入管(12)與媒介管道(9)出口接通,半導體加熱單元(1)熱端的熱媒輸出管(11)輸出的熱媒流經媒介管道(9)對反應管(74)內的石墨舟(5)加熱,同時對爐絲(73)加熱,進行第二種工藝。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





