[發(fā)明專利]提升靜電吸盤使用壽命的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010884946.4
• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號: CN111900120B
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔣燚
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種提升靜電吸盤使用壽命的方法，其特征在于，包括：

提供一工藝腔，包括位于工藝腔頂部的上電極和位于工藝腔底部的靜電吸盤，所述上電極的表面附著有第一聚合物；

對所述靜電吸盤進行聚合物沉積工藝，以在所述靜電吸盤的表面形成一保護層；

在所述工藝腔內(nèi)進行摻碳氮化硅的再生回收工藝，以使摻碳氮化硅與所述第一聚合物發(fā)生反應(yīng)，生成第二聚合物并附著在所述保護層的表面；

清洗所述工藝腔，以去除所述保護層和所述第二聚合物；

其中，所述摻碳氮化硅的再生回收工藝包括：提供一表面形成有摻碳氮化硅層的第二晶圓，將所述第二晶圓設(shè)置在所述保護層上并對所述摻碳氮化硅層進行刻蝕，以實現(xiàn)摻碳氮化硅的再生回收。

2.如權(quán)利要求1所述的提升靜電吸盤使用壽命的方法，其特征在于，在所述聚合物沉積工藝前還包括：上電極清潔工藝，以減少附著在上電極表面的第一聚合物。

3.如權(quán)利要求2所述的提升靜電吸盤使用壽命的方法，其特征在于，所述上電極清潔工藝為等離子體干法清洗。

4.如權(quán)利要求3所述的提升靜電吸盤使用壽命的方法，其特征在于，所述等離子體干法清洗的過程包括：

提供一第一晶圓并將所述第一晶圓設(shè)置于所述靜電吸盤，在所述工藝腔中通入第一工藝氣體，同時增加所述工藝腔的源射頻功率及偏壓射頻功率，以減少所述上電極表面的第一聚合物；

將所述第一晶圓移出所述工藝腔。

5.如權(quán)利要求4所述的提升靜電吸盤使用壽命的方法，其特征在于，所述第一工藝氣體包括含氟氣體、氧氣以及惰性氣體。

6.如權(quán)利要求5所述的提升靜電吸盤使用壽命的方法，其特征在于，所述含氟氣體包括四氟甲烷，所述惰性氣體包括氬氣。

7.如權(quán)利要求1所述的提升靜電吸盤使用壽命的方法，其特征在于，所述聚合物沉積工藝包括：在所述工藝腔內(nèi)通入第二工藝氣體，并將所述第二工藝氣體沉積在所述靜電吸盤的表面，以形成一保護層。

8.如權(quán)利要求7所述的提升靜電吸盤使用壽命的方法，其特征在于，所述第二工藝氣體為重聚合物氣體，包括甲烷。

9.如權(quán)利要求1所述的提升靜電吸盤使用壽命的方法，其特征在于，在所述工藝腔進行鈍化層的刻蝕工藝的過程中形成所述第一聚合物。

10.如權(quán)利要求9所述的提升靜電吸盤使用壽命的方法，其特征在于，所述第一聚合物包括鋁基聚合物，所述第二聚合物包括氮化鋁聚合物。