[發明專利]改善通孔刻蝕殘留的方法有效
| 申請號： | 202010884276.6 | 申請日： | 2020-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN111883411B | 公開（公告）日： | 2023-02-03 |
| 發明（設計）人： | 黃達斐;吳曉彤 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 刻蝕 殘留 方法 | ||
1.一種改善通孔刻蝕殘留的方法，其特征在于，在金屬硬質掩模一體化刻蝕之后，包括：
對刻蝕腔體的側壁進行轟擊，以使所述刻蝕腔體內的金屬副產物及非金屬副產物游離；
向所述刻蝕腔體內通入第一反應氣體，所述第一反應氣體與所述金屬副產物反應后生成第一反應物附著在所述刻蝕腔體的側壁上；
對所述刻蝕腔體的側壁再次進行轟擊，以使所述刻蝕腔體內的所述非金屬副產物游離；
向所述刻蝕腔體內通入第二反應氣體，所述第二反應氣體與所述非金屬副產物反應后生成第二反應物附著在所述刻蝕腔體的側壁上；
對所述第一反應物及所述第二反應物的表面進行處理，以修復所述刻蝕腔體的內環境。
2.如權利要求1所述的改善通孔刻蝕殘留的方法，其特征在于，采用等離子體工藝對所述刻蝕腔體的側壁進行轟擊。
3.如權利要求2所述的改善通孔刻蝕殘留的方法，其特征在于，所述等離子體工藝的工藝氣體包括氬氣。
4.如權利要求1所述的改善通孔刻蝕殘留的方法，其特征在于，所述金屬副產物的組成元素包含鈦、銅、鎢或鈷中的一種或多種。
5.如權利要求4所述的改善通孔刻蝕殘留的方法，其特征在于，所述第一反應氣體為還原性氣體。
6.如權利要求5所述的改善通孔刻蝕殘留的方法，其特征在于，所述還原性氣體包括一氧化碳、甲烷、一氧化硫或硫化氫中的一種或多種。
7.如權利要求1所述的改善通孔刻蝕殘留的方法，其特征在于，所述非金屬副產物的組成元素包含碳、氟、氧或氮中的一種或多種。
8.如權利要求7所述的改善通孔刻蝕殘留的方法，其特征在于，所述第二反應氣體為長碳鏈氣體。
9.如權利要求8所述的改善通孔刻蝕殘留的方法，其特征在于，所述長碳鏈氣體包括二氟甲烷、甲烷或二氧化碳中的一種或多種。
10.如權利要求1所述的改善通孔刻蝕殘留的方法，其特征在于，對所述第一反應物及所述第二反應物的表面進行處理的步驟包括：
向所述刻蝕腔體內通入第三反應氣體，所述第三反應氣體刻蝕所述第一反應物及所述第二反應物的表面使其平整。
11.如權利要求10所述的改善通孔刻蝕殘留的方法，其特征在于，所述第三反應氣體包括八氟環丁烷、六氟丁二烯和四氟化碳中的一種或多種。
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