[發(fā)明專(zhuān)利]一種顯示基板、顯示裝置和測(cè)試方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010884268.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111969023A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張偉;楊一帆;陳龍;卿萬(wàn)梅 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/32 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/32;H01L51/50;G09G3/3208;G09G3/00 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 黃燦;顧春天 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 顯示裝置 測(cè)試 方法 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括襯底基板、位于所述襯底基板上的驅(qū)動(dòng)電路層和多個(gè)發(fā)光單元,所述發(fā)光單元包括依次層疊設(shè)置的第一電極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和第二電極;
所述發(fā)光單元包括第一發(fā)光單元,所述第一發(fā)光單元包括發(fā)光檢測(cè)層,所述發(fā)光檢測(cè)層位于所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層之間,且所述發(fā)光檢測(cè)層與所在發(fā)光單元的發(fā)光層的發(fā)光顏色不同。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,在至少兩個(gè)第一發(fā)光單元中,所述發(fā)光檢測(cè)層與所述襯底基板之間的距離不相等。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述第一發(fā)光單元包括第一目標(biāo)發(fā)光單元,所述第一目標(biāo)發(fā)光單元的發(fā)光層包括第一發(fā)光子層和第二發(fā)光子層,所述第一發(fā)光子層、所述發(fā)光檢測(cè)層和所述第二發(fā)光子層依次層疊設(shè)置,且在至少部分所述第一目標(biāo)發(fā)光單元中,所述第一發(fā)光子層的厚度不相等和/或所述第二發(fā)光子層的厚度不相等。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述第一發(fā)光單元還包括第二目標(biāo)發(fā)光單元,所述第二目標(biāo)發(fā)光單元的發(fā)光檢測(cè)層與發(fā)光層的一個(gè)表面相接觸,且所述第二目標(biāo)發(fā)光單元的發(fā)光檢測(cè)層與所述發(fā)光層層疊設(shè)置。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一發(fā)光單元包括第三目標(biāo)發(fā)光單元,所述第三目標(biāo)發(fā)光單元還包括電子阻擋層,所述第三目標(biāo)發(fā)光單元的空穴傳輸層、發(fā)光檢測(cè)層、電子阻擋層和發(fā)光層依次層疊設(shè)置。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一發(fā)光單元包括第四目標(biāo)發(fā)光單元,所述第四目標(biāo)發(fā)光單元的電子傳輸層、發(fā)光檢測(cè)層和發(fā)光層依次層疊設(shè)置。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述第四目標(biāo)發(fā)光單元還包括空穴阻擋層,所述空穴阻擋層位于所述發(fā)光檢測(cè)層和所述發(fā)光層之間。
8.如權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的顯示基板,其特征在于,所述發(fā)光檢測(cè)層的發(fā)光顏色與至少一個(gè)未設(shè)有所述發(fā)光檢測(cè)層的發(fā)光單元的發(fā)光層的發(fā)光顏色相同。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的顯示基板。
10.一種測(cè)試方法,應(yīng)用于權(quán)利要求9所述的顯示裝置,其特征在于,包括:
以相同的電流密度為各所述發(fā)光單元供電;
檢測(cè)各所述第一發(fā)光單元中的發(fā)光檢測(cè)層的亮度;
根據(jù)各所述發(fā)光檢測(cè)層的亮度確定所述第一發(fā)光單元中的激子分布。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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