[發明專利]一種單雙耳絕緣子壓接工藝有效
| 申請號: | 202010884123.1 | 申請日: | 2020-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN111952025B | 公開(公告)日: | 2022-04-05 |
| 發明(設計)人: | 張德進;劉鐵橋;張斌;張達武;紀福俊;章玉秀;朱勇飛;王丹丹;秦錦華 | 申請(專利權)人: | 江蘇祥源電氣設備有限公司 |
| 主分類號: | H01B19/00 | 分類號: | H01B19/00 |
| 代理公司: | 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
| 地址: | 226500 江蘇省南通市如*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 單雙耳 絕緣子 工藝 | ||
1.一種單雙耳絕緣子壓接工藝,其特征在于:包括下述步驟:
S1工件加工:首先,分別加工出所需的單耳、雙耳、絕緣子芯棒,并確保加工出的單耳、雙耳上均預留有1.5-2.3mm的壓接余量;
S2壓接準備:將裝配好的單耳、雙耳分別放置在專用壓接系統上,所述專用壓接系統包括:
一壓接機架,所述壓接機架包括上下分布的頂板、底座以及連接頂板與底座的立柱;
一安裝在頂板上的上壓板,該上壓板由安裝在頂板上的上液壓缸驅動進行上下升降,所述上壓板的底面上安裝有一對并列分布的上模座,在上模座的底端上安裝有一上壓座,同時在上模座上具有容上壓座嵌入安裝并活動的上凹槽,所述上壓座呈半圓形狀,在上壓座的底面的中部位置還具有第一半圓形空腔,所述上壓座由一對并列分布的對半設置的上壓塊共同組成,上壓塊的分布方向與上模座的分布方向相垂直,在兩個上壓塊之間還設置有帶動兩個上壓塊相互合攏或分離的上復位彈簧,且在兩個上壓塊分離時,兩個上壓塊的底端均伸出上模座的底面,在兩個上壓塊合攏時,兩個上壓塊的底端與上模座的底面相齊平,在上壓塊兩側的外壁分別具有一水平向外凸出的上導向塊,同時在上模座的上凹槽處的兩內側壁上還分別具有一容上導向塊嵌入并活動的弧形狀上導向槽;
一安裝在底座上并位于上壓板下方的壓接平臺,在壓接平臺的上端面上安裝有一對與上模座相一一對應的下模座,在下模座上安裝有一下壓座,同時在下模座上具有容下壓座嵌入安裝并活動的下凹槽,所述下壓座呈半圓形狀,在下壓座的頂面的中部位置還具有第二半圓形空腔,且第二半圓形空腔與第一半圓形空腔共同配合形成對單耳或雙耳進行壓制的壓接空腔,所述下壓座由一對并列分布的對半設置的下壓塊共同組成,且下壓塊的分布方向與下模座的分布方向相垂直,在兩個下壓塊之間還設置有帶動兩個下壓塊相互合攏或分離的下復位彈簧,且在兩個下壓塊分離時,兩個下壓塊的頂端均伸出下模座的頂面,在兩個下壓塊合攏時,兩個下壓塊的頂端與下模座的頂面相齊平,在下壓塊兩側的外壁分別具有一水平向外凸出的下導向塊,同時在下模座的下凹槽處的兩內側壁上還分別具有一容下導向塊嵌入并活動的弧形狀下導向槽;
在壓接平臺上位于兩個下模座的兩個外側還分別具有一單耳定位柱、一雙耳定位柱,所述單耳定位柱、雙耳定位柱均呈倒T形狀;
將單耳、雙耳分別套裝在絕緣子芯棒的兩側,然后將單耳與絕緣子芯棒套裝的一側支撐在其中一個下壓座的第二半圓形空腔中,而將單耳具有連接孔的一側套裝在單耳定位柱上,完成單耳側的固定,將雙耳與絕緣子芯棒套裝的一側支撐在另一個下壓座的第二半圓形空腔中,而將雙耳具有連接孔的一側套裝在雙耳定位柱上,完成雙耳側的固定,進而完成單耳、雙耳、絕緣子芯棒的準備工序;
S3工件壓接:由上液壓缸驅動上壓板下行,并帶動上模座下行,使得上模座與下模座合模,在合模的過程中,上壓座與下壓座會受到相互擠壓,相對應的上壓塊、下壓塊會由于擠壓力的作用而向中間收縮,從而實現上壓塊、下壓塊對單耳、雙耳的擠壓,進而實現單耳、雙耳與絕緣子芯棒的壓接,上液壓缸在下行到位后保壓3-5s,完成單耳、雙耳與絕緣子芯棒的壓接,形成絕緣子成品;
S4產品成型:在壓接結束后,由上液壓缸驅動上壓板上行,同時,上壓座與下壓座會分離,相對應的相互間的擠壓力也會消失,隨著擠壓力的消失,上壓塊、下壓塊會在上復位彈簧、下復位彈簧的作用下再次分離,從而將單耳、雙耳松開,再由人員將絕緣子成品取出,完成加工。
2.根據權利要求1所述的單雙耳絕緣子壓接工藝,其特征在于:所述步驟S2中,在壓接平臺的上端面上還安裝有四個呈矩形狀分布的定位導向柱,同時在上壓板上還具有容定位導向柱一一對應插入的定位導向孔。
3.根據權利要求1所述的單雙耳絕緣子壓接工藝,其特征在于:所述步驟S2中,在壓接平臺的上端面上還安裝有數個行程限位柱,所述行程限位柱的高度與上模座、下模座的厚度總和相一致。
4.根據權利要求1所述的單雙耳絕緣子壓接工藝,其特征在于:所述步驟S2中,在上壓塊、下壓塊的表面還安裝有凸出上壓塊、下壓塊的壓接塊。
5.根據權利要求1所述的單雙耳絕緣子壓接工藝,其特征在于:所述步驟S2中,在單耳定位柱、雙耳定位柱的頂端還均具有一圓臺狀導向段。
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