[發明專利]一種調控釩薄膜擇優取向性的方法

在審

• 申請號: 202010884112.3
• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號: CN112030126A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 章嵩;鄭龍;涂溶
• 申請（專利權）人: 氣相科技（武漢）有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/54
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 崔友明;官群

1.一種調控釩薄膜擇優取向性的方法，其特征在于，采用非平衡磁控濺射的方法，通過調控沉積氣壓和濺射功率的條件，分別得到110、211、111取向的金屬釩薄膜。

2.根據權利要求1所述的調控釩薄膜擇優取向性的方法，其特征在于，具體步驟為：

1)在非平衡磁控濺射設備沉積腔內的兩個相對的靶座上分別安裝相同規格的釩靶材，調節兩個靶材間距為10～14cm；

2)將清洗干凈的基體放置在樣品臺中心，將沉積腔抽真空至本底真空；

3)向沉積腔室內通入氬氣，氬氣流量為10～40sccm，并調節沉積氣壓為0.5～2Pa，開啟靶電源，樣品臺以10r/min的速率自轉，調節濺射功率為40～120W，采用直流磁控濺射方式在基體表面濺射沉積取向金屬釩薄膜；

濺射功率≤60W時，在基體表面得到完全110擇優取向的金屬釩薄膜；

濺射功率在80W～100W范圍內，沉積氣壓大于1Pa時，在基體表面得到110擇優取向的金屬釩薄膜；

濺射功率在80W～100W范圍內，沉積氣壓為≤1Pa時，在基體表面得到211擇優取向的金屬釩薄膜；

濺射功率大于100W，沉積氣壓≥1Pa時，在基體表面得到111擇優取向的金屬釩薄膜。

3.根據權利要求2所述的調控釩薄膜擇優取向性的方法，其特征在于，步驟1)所述釩靶材純度為99.95％以上。

4.根據權利要求2所述的調控釩薄膜擇優取向性的方法，其特征在于，步驟2)所述基體選自Si基板，SiC基板，玻璃基板，氧化鋁基板。

5.根據權利要求2所述的調控釩薄膜擇優取向性的方法，其特征在于，步驟3)所述氬氣純度為99.999％以上。

6.根據權利要求2所述的調控釩薄膜擇優取向性的方法，其特征在于，步驟3)濺射時間為0.5～12h。

7.一種根據權利要求1-6任一所述的調控釩薄膜擇優取向性的方法制備得到的取向金屬釩薄膜，其特征在于，所述金屬釩薄膜具有110或211或111取向。