[發明專利]陶瓷元件的振動噪音抑制結構

在審

• 申請號: 202010884072.2
• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號: CN114121482A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 劉妤婕;許智遠;凌溢駿
• 申請（專利權）人: 信昌電子陶瓷股份有限公司
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/236;H01G4/30
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 姜璐璐;韓嫚嫚

1.一種陶瓷元件的振動噪音抑制結構，在一陶瓷元件與一基板之間設置一振動噪音抑制結構，該陶瓷元件的兩端部分別設有一第一外部電極和一第二外部電極，而該基板上則設有一第一焊墊和一第二焊墊，該第一焊墊和該第二焊墊分別對應于該陶瓷元件的該第一外部電極和該第二外部電極，并分別以一第一焊著材料和一第二焊著材料焊著在該陶瓷元件的該第一外部電極和該第二外部電極，其特征在于，該振動噪音抑制結構包括：

一第一中介層，位于該基板的一頂面上，該第一中介層具有一第一外部端子和一第二外部端子，該第一外部端子和該第二外部端子分別上下對應于該陶瓷元件的該第一外部電極和該第二外部電極，該第一外部端子和該第二外部端子也上下對應于該基板的該第一焊墊和該第二焊墊，該第一中介層具有一第一介電系數和一第一抗板彎系數；

一第二中介層，位于該陶瓷元件的該底面與該第一中介層之間，該第二中介層具有一第二介電系數和一第二抗板彎系數。

2.根據權利要求1所述的陶瓷元件的振動噪音抑制結構，其特征在于，該第一中介層的該第一端部形成有一第一凹部，且該第一端部在面向該陶瓷元件的一表面形成一第一頂面導電部，在面向該基板的一表面形成一第一底面導電部，在該第一頂面導電部和該第一底面導電部之間并沿著該第一凹部的一外表面形成一第一垂直導電部，該第一焊著材料將該陶瓷元件的該第一外部電極和該第一中介層的該第一頂面導電部、該第一垂直導電部、該第一底面導電部焊著在該基板的該第一焊墊，使得該陶瓷元件的該第一外部電極和該基板的該第一焊墊形成電導通。

3.根據權利要求1所述的陶瓷元件的振動噪音抑制結構，其特征在于，該第一中介層的該第二端部形成有一第二凹部，且該第二端部在面向該陶瓷元件的一表面形成一第二頂面導電部，在面向該基板的一表面形成一第二底面導電部，在該第二頂面導電部和該第二底面導電部之間并沿著該第二凹部的一外表面形成一第二垂直導電部，該第二焊著材料將該陶瓷元件的該第二外部電極和該第二中介層的該第二頂面導電部、該第二垂直導電部、該第二底面導電部焊著在該基板的該第二焊墊，使得該陶瓷元件的該第二外部電極和該基板的該第二焊墊形成電導通。

4.根據權利要求1所述的陶瓷元件的振動噪音抑制結構，其特征在于，該陶瓷元件為一積層陶瓷電容器。

5.根據權利要求1所述的陶瓷元件的振動噪音抑制結構，其特征在于，該第一中介層以三氧化二鋁所制成。

6.根據權利要求1所述的陶瓷元件的振動噪音抑制結構，其特征在于，該第二中介層以硅膠所制成。

7.根據權利要求1所述的陶瓷元件的振動噪音抑制結構，其特征在于，該第一中介層的該第一介電系數介于5至10之間，該第二中介層的該第二介電系數系介于1至4之間。

8.根據權利要求1所述的陶瓷元件的振動噪音抑制結構，其特征在于，該第一中介層的該第一抗板彎系數介于8.0至20.0之間，而該第二中介層的該第二抗板彎系數介于30.0至50.0之間。

9.根據權利要求1所述的陶瓷元件的振動噪音抑制結構，其特征在于，該第一中介層的厚度介于2.0毫米至5.0毫米之間，該第二中介層的厚度介于10微米至50微米之間。