[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于表面等離子體激元效應(yīng)的SERS基底的設(shè)計(jì)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010883583.2
• 申請(qǐng)日: 2020-08-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111912829B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇巍;羅寅龍;易恬安;陳秉巖
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 河海大學(xué)常州校區(qū)
• 主分類(lèi)號(hào): G01N21/65
• 分類(lèi)號(hào): G01N21/65;B82Y15/00;B82Y40/00
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 丁濤

1.一種基于表面等離子體激元效應(yīng)的SERS基底的設(shè)計(jì)方法，其特征在于包括如下步驟：

S1、采用時(shí)域有限差分算法，設(shè)置SERS基底的結(jié)構(gòu)，其包括SiO2基底層，在SiO2基底層上設(shè)置有Au金屬薄膜層，Au金屬薄膜層上方附著一層SiO2介質(zhì)層，介質(zhì)層上方設(shè)置有Au頂層金屬以及位于Au頂層金屬上的雙圓孔結(jié)構(gòu)，同時(shí)設(shè)置該基底的周期性邊界結(jié)構(gòu)；

S2、確定仿真的初始條件，固定SiO2基底層的厚度，周期性結(jié)構(gòu)的邊界條件，以及雙圓孔結(jié)構(gòu)的半徑；

S3、依次改變Au金屬薄膜層的厚度、SiO2介質(zhì)層的厚度、Au頂層金屬層的厚度、以及雙圓孔結(jié)構(gòu)的縫距大小，利用FDTD solution軟件計(jì)算SERS基底的電場(chǎng)強(qiáng)度分布，根據(jù)電場(chǎng)強(qiáng)度分布計(jì)算SERS基底的增強(qiáng)因子，其中，每個(gè)雙圓孔結(jié)構(gòu)包括2個(gè)圓形孔洞，兩個(gè)圓形孔洞相交，相交部分最短距離為雙圓孔的縫距；

S4、從步驟（3）中，篩選出增強(qiáng)因子較大的結(jié)構(gòu)作為優(yōu)化之后的SERS基底。