[發(fā)明專利]應(yīng)用于THz調(diào)制的極窄熱滯回線氧化釩薄膜的制備方法

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• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號: CN112011775A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳志明;徐雯;向梓豪;白宇昕;石沅林;陳鵬宇
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58
• 代理公司: 北京卓唐知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11541
• 代理人: 崔金

1.一種應(yīng)用于THz調(diào)制的極窄熱滯回線氧化釩薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)以附有金屬鉭片的金屬釩靶為復(fù)合靶材，采用直流反應(yīng)磁控濺射對基片進(jìn)行濺射，制備摻鉭氧化釩薄膜；

(2)將摻鉭氧化釩薄膜在富氧氣氛下進(jìn)行高溫退火處理得應(yīng)用于THz調(diào)制的極窄熱滯回線氧化釩薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種應(yīng)用于THz調(diào)制的極窄熱滯回線氧化釩薄膜的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，摻鉭氧化釩薄膜中鉭離子與釩離子的摻雜摩爾比為1.5－3：100，優(yōu)選地，金屬鉭片的純度≥99.99％，金屬釩靶的純度≥99.99％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種應(yīng)用于THz調(diào)制的極窄熱滯回線氧化釩薄膜的制備方法，其特征在于，濺射分兩個階段：預(yù)濺射階段和濺射階段；

預(yù)濺射階段：調(diào)整磁控濺射鍍膜儀腔室內(nèi)的真空度＜1.9×10^－3Pa，基片溫度為59－61℃，在此溫度下預(yù)熱55－65min；保證基片以30rpm的速度勻速旋轉(zhuǎn)的條件下，充入氬氣進(jìn)行預(yù)濺射；

濺射階段：待預(yù)濺射完畢，充入氬氣和氧氣的混合氣體，待腔室氣壓穩(wěn)定后，保證基片以30rpm的旋轉(zhuǎn)速度勻速旋轉(zhuǎn)，在磁控濺射鍍膜儀腔室內(nèi)的氣壓為1.0－1.5Pa的條件下進(jìn)行正式濺射。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種應(yīng)用于THz調(diào)制的極窄熱滯回線氧化釩薄膜的制備方法，其特征在于，所述基片為高阻硅，優(yōu)選地，基片表面清洗干凈后，再放入磁控濺射鍍膜儀腔室內(nèi)；將基片放入丙酮中超聲處理除去表面雜質(zhì)，再放入無水乙醇中超聲處理除去殘留丙酮，更優(yōu)選地，基片放入腔室前用高壓氮?dú)獯蹈伞?/p>

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種應(yīng)用于THz調(diào)制的極窄熱滯回線氧化釩薄膜的制備方法，其特征在于，預(yù)濺射的溫度為60－62℃，預(yù)濺射過程中氬氣的流量為98－100sccm，濺射電流為0.34－0.36A，濺射時間為20－30min。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種應(yīng)用于THz調(diào)制的極窄熱滯回線氧化釩薄膜的制備方法，其特征在于，濺射的溫度為60－62℃，濺射過程中氬氣的流量為98－100sccm、氧氣的流量為1－2sccm，濺射電流為0.34－0.36A，濺射時間為40－45min。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種應(yīng)用于THz調(diào)制的極窄熱滯回線氧化釩薄膜的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，高溫退火的溫度為400－450℃，在此溫度下退火的時間為25－30min。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種應(yīng)用于THz調(diào)制的極窄熱滯回線氧化釩薄膜的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，退火過程中，通入的氧氣流量為13－17sccm。