[發明專利]太陽能電池模塊在審
| 申請號: | 202010883075.4 | 申請日: | 2020-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN112447872A | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發明(設計)人: | 中村優也;山崎敦子;神野浩 | 申請(專利權)人: | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/05 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 模塊 | ||
1.一種太陽能電池模塊,其特征在于,包括:
太陽能電池單元,其具有彼此朝向相反的第1面和第2面,
第1粘接層,其使第1布線粘接于上述第1面,
第2粘接層,其使第2布線粘接于上述第2面,
第1密封構件,其從通過上述第1粘接層粘接于上述第1布線的上述第1面側密封上述太陽能電池單元,以及
第2密封構件,其從通過上述第2粘接層粘接于上述第2布線的上述第2面側密封上述太陽能電池單元;
上述第1粘接層和上述第2粘接層所包含的抗氧化劑的量為上述第1密封構件所包含的抗氧化劑的量以上。
2.如權利要求1所述的太陽能電池模塊,其特征在于,
在上述第1布線和上述第2布線中含銅。
3.如權利要求1或2所述的太陽能電池模塊,其特征在于,
上述第1粘接層所包含的抗氧化劑的量為上述第2粘接層所包含的抗氧化劑的量以上。
4.如權利要求3所述的太陽能電池模塊,其特征在于,
上述第1粘接層的熔點高于上述第2粘接層的熔點。
5.如權利要求3或4所述的太陽能電池模塊,其特征在于,
在上述第1粘接層與上述第1密封構件之間,還包括與上述第1粘接層的密接力比與上述第1密封構件的密接力更低的低密接力層。
6.如權利要求3或4所述的太陽能電池模塊,其特征在于,還包括:
薄膜,其在與上述第1面之間夾著上述第1粘接層,以及
低密接力層,在上述薄膜與上述第1密封構件之間,其與上述薄膜的密接力比與上述第1密封構件的密接力更低。
7.如權利要求1或2所述的太陽能電池模塊,其特征在于,
在上述第1面,配置有含銅的第1電極;
在上述第2面,配置有含銅且面積大于上述第1電極的第2電極;
上述第2粘接層所包含的抗氧化劑的量為上述第1粘接層所包含的抗氧化劑的量以上。
8.如權利要求7所述的太陽能電池模塊,其特征在于,
上述第2粘接層的熔點高于上述第1粘接層的熔點。
9.如權利要求7或8所述的太陽能電池模塊,其特征在于,
在上述第2粘接層與上述第2密封構件之間,還包括與上述第2粘接層的密接力比與上述第2密封構件的密接力更低的低密接力層。
10.如權利要求7或8所述的太陽能電池模塊,其特征在于,還包括:
薄膜,其在與上述第2面之間夾著上述第2粘接層,以及
低密接力層,在上述薄膜與上述第2密封構件之間,其與上述薄膜的密接力比與上述第2密封構件的密接力更低。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于松下電器產業株式會社,未經松下電器產業株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010883075.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





