[發明專利]制作半導體器件的裝置

在審

• 申請號: 202010882878.8
• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號: CN112447558A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 李志聰;楊勝鈞;邱云姿;萬昭宏;林藝民;倪其聰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 薛恒;王琳

一種制作半導體器件的裝置具有：殼體，界定緩沖腔室；多個反應器端口，形成在殼體中，用于與多個工藝腔室建立接口，所述多個工藝腔室用于在制作半導體器件的制作工藝期間接納晶片；晶片定位機器人，定位在緩沖腔室中以通過所述多個反應器端口在所述多個工藝腔室之間運送晶片；吹洗端口，形成在殼體中，用于將吹洗氣體引入到緩沖腔室中；泵端口，形成在殼體中，用于從緩沖腔室排放吹洗氣體的一部分；以及第一流量增強器，將沿吹洗端口的縱向軸線在軸向方向上流動的吹洗氣體相對于縱向軸線在多個徑向方向上引導到緩沖腔室中。

技術領域

本發明的實施例涉及一種制作半導體器件的裝置。

背景技術

例如晶體管等半導體器件用于多種電子器件中，例如手機、膝上型計算機、桌上型計算機、平板計算機、手表、游戲系統以及各種其他工業電子器件、商業電子器件及消費型電子器件。一般來說，半導體晶片經歷一次或多次處理以在晶片上、在晶片中和/或從晶片生產半導體器件。

發明內容

本發明的一些實施例提供一種制作半導體器件的裝置，所述裝置包括：殼體，界定緩沖腔室；多個反應器端口，形成在所述殼體中，用于與多個工藝腔室建立接口，所述多個工藝腔室用于在制作所述半導體器件的制作工藝期間接納晶片；晶片定位機器人，至少部分地定位在所述緩沖腔室內以通過所述多個反應器端口在所述多個工藝腔室之間運送所述晶片；吹洗端口，形成在所述殼體中，用于將吹洗氣體引入到所述緩沖腔室中；泵端口，形成在所述殼體中，用于從所述緩沖腔室排放所述吹洗氣體的一部分；以及第一流量增強器，所述第一流量增強器當與所述吹洗端口相鄰地排列時將沿所述吹洗端口的縱向軸線在軸向方向上流動的所述吹洗氣體相對于所述縱向軸線在多個徑向方向上引導到所述緩沖腔室中。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，會最好地理解本公開的各方面。注意，根據本行業中的標準慣例，各種特征并未按比例繪制。事實上，為使論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1說明根據一些實施例的用于制作半導體器件的裝置，所述裝置包括泵端口與吹洗端口的不對稱排列。

圖2說明根據一些實施例的用于制作半導體器件的裝置，所述裝置包括泵端口與吹洗端口的對稱排列。

圖3說明根據一些實施例的用于制作半導體器件的裝置的流量增強器的立體圖，所述流量增強器當與形成在界定緩沖腔室的殼體中的端口相鄰地排列時改變氣流。

圖4說明根據一些實施例的用于制作半導體器件的裝置的流量增強器的立體圖，所述流量增強器當與形成在界定緩沖腔室的殼體中的端口相鄰地排列時改變氣流。

圖5說明根據一些實施例的用于制作半導體器件的裝置的流量增強器的立體圖，所述流量增強器當與形成在界定緩沖腔室的殼體中的端口相鄰地排列時改變氣流。

圖6說明根據一些實施例的用于制作半導體器件的裝置的流量增強器的側視圖，所述流量增強器當與形成在界定緩沖腔室的殼體中的端口相鄰地排列時改變氣流。

圖7說明根據一些實施例的流量增強器的剖視圖，所述剖視圖是沿圖6中的線7-7截取。

圖8說明根據一些實施例的用于制作半導體器件的裝置的流量增強器的仰視圖，所述流量增強器當與形成在緩沖腔室的殼體中的端口相鄰地排列時改變氣流。

圖9說明根據一些實施例的流量增強器的剖視圖，所述剖視圖是沿圖8中的線9-9截取。

圖10說明根據一些實施例的用于制作半導體器件的裝置的流量增強器的立體圖，所述流量增強器當與形成在界定緩沖腔室的殼體中的端口相鄰地排列時改變氣流。

圖11說明根據一些實施例的用于制作半導體器件的裝置的流量增強器的側視圖，所述流量增強器當與形成在界定緩沖腔室的殼體中的端口相鄰地排列時改變氣流。