[發(fā)明專利]基于雙鈣鈦礦材料的太陽能電池及制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010882858.0 | 申請日: | 2020-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN111987222A | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 常晶晶;林珍華;王璐;蘇杰;張進成;郝躍 | 申請(專利權)人: | 西安電子科技大學 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 陜西電子工業(yè)專利中心 61205 | 代理人: | 王品華;黎漢華 |
| 地址: | 710071*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 雙鈣鈦礦 材料 太陽能電池 制備 方法 | ||
1.一種基于雙鈣鈦礦材料的太陽能電池,自下而上包括透明導電襯底(1)、電子傳輸層(2)、鈣鈦礦吸光層(3)、空穴傳輸層(4)和金屬電極(5),其特征在于,鈣鈦礦吸光層(3)采用無毒鉛元素的雙鈣鈦礦材料,以提高太陽能電池穩(wěn)定性。
2.根據(jù)權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述雙鈣鈦礦材料為A2BⅠBⅢX6結構,A為一價陽離子,BⅠ為一價金屬陽離子,BⅢ為三價金屬陽離子,其中一價陽離子A采用K+、Rb+、Cs+中的任意一種離子及任意幾種離子的組合;一價金屬陽離子BⅠ采用Cu+、Ag+、Au+、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+、In+中的任意一種離子及任意幾種離子的組合;三價金屬陽離子BⅢ采用As3+、Bi3+、Rh3+、Sb3+、Cr3+、Co3+、Ga3+、Fe3+、Ru3+、In3+、Ir3+、Au3+、Y3+中的任意一種離子及任意幾種離子的組合;一價鹵素陰離子X采用Cl-、Br-、I-中的任意一種離子及任意幾種離子的組合。
3.根據(jù)權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,透明導電襯底(1)采用氧化銦錫ITO或氟摻雜氧化錫FTO材料。
4.一種以雙鈣鈦礦材料為吸收層的鈣鈦礦太陽能電池制備方法,其特征在于,包括如下:
1)選用透明導電襯底,并進行預處理:
2)采用旋涂法將電子傳輸層前驅(qū)體溶液旋涂于預處理后的襯底上,再對旋涂后的襯底進行退火處理,得到制備好的電子傳輸層;
3)配制雙鈣鈦礦溶液:
一步法旋涂溶液:將AX粉末、BⅠX粉末、BⅢX3粉末按照2:1:1的比例溶于二甲基亞砜DMSO、γ-丁內(nèi)酯GBL、異丙醇IPA的一種或多種有機溶液中,并在熱臺攪拌形成雙鈣鈦礦A2BⅠBⅢX6溶液,用于一步法旋涂;
兩步旋涂溶液:先將BⅠX粉末、BⅢX3粉末按1:1的比例溶于二甲基甲酰胺DMF有機溶液中得到BⅠX、BⅢX3的前驅(qū)體溶液,再將AX粉末溶于二甲基亞砜DMSO、γ-丁內(nèi)酯GBL異丙醇IPA的一種或多種有機溶液中,得到AX的前驅(qū)體溶液;該BⅠX、BⅢX3的前驅(qū)體溶液和AX的前驅(qū)體溶液用于兩步法旋涂;
4)采用一步法或者兩步法,將與其對應的溶液涂布于制備好的電子傳輸層上,并對旋涂后的器件進行退火處理,得到制備好的鈣鈦礦吸收層;
5)采用旋涂法將空穴傳輸層溶液沉積在制備好的鈣鈦礦吸收層上,得到空穴傳輸層;
6)使用真空鍍膜儀,將金屬電極蒸鍍在空穴傳輸層上,得到制備好的金屬電極,完成鈣鈦礦太陽能電池的制備。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





