[發明專利]一種帶有柵極溝槽結構的碳化硅MOSFET在審
| 申請號： | 202010882108.3 | 申請日： | 2020-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN112186027A | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發明（設計）人： | 張梓豪;黃興;陳欣璐 | 申請（專利權）人： | 派恩杰半導體（杭州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 杭州天昊專利代理事務所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市濱江區浦*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 帶有 柵極 溝槽 結構 碳化硅 mosfet | ||
1.一種帶有柵極溝槽結構的碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：
碳化硅襯底(101)，所述碳化硅襯底(101)的摻雜類型為第一導電類型；
碳化硅襯底(101)上生長的碳化硅外延層(102)，所述碳化硅外延層(102)摻雜類型為第一導電類型；
所述碳化硅襯底(101)背面覆蓋的漏極金屬電極(110)；
所述碳化硅外延層(102)上刻蝕的溝槽，在所述溝槽表面生長有的氧化層(107)，氧化層(107)上設有的柵極金屬電極(108)；
在碳化硅外延層(102)上設有的源極注入區(104)，所述源極注入區(104)的摻雜類型為第一導電類型；
所述源極注入區(104)上覆蓋有的源極金屬電極(109)；在碳化硅外延層(102)上還設有的多個注入區，其中包括阻斷注入區(103)，保護注入區(106)和改善注入區(105)，所述阻斷注入區(103)的摻雜類型為第二導電類型，所述改善注入區(105)的摻雜類型為第一導電類型，所述保護注入區(106)為重摻雜的第二導電類型，所述阻斷注入區(103)與源極注入區(104)相鄰且設置在柵極和漏極之間，所述保護注入區(106)設置在柵極金屬電極(108)下方。
2.如權利要求1所述的帶有柵極溝槽結構的碳化硅MOSFET，其特征在于，進一步包括一個或多個改善電場分布注入區(111)，改善電場分布注入區(111)為重摻雜的第二導電類型。
3.如權利要求2所述的帶有柵極溝槽結構的碳化硅MOSFET，其特征在于，若改善電場分布注入區(111)設置有多個時，改善電場分布注入區(111)之間的距離根據需要調節設置。
4.如權利要求1至3任一所述的帶有柵極溝槽結構的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述改善注入區(105)與柵極金屬電極(108)在俯視截面上呈平行設置。
5.如權利要求1至3任一所述的帶有柵極溝槽結構的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述改善電場分布注入區(111)與柵極金屬電極(108)在俯視截面上呈平行設置。
6.如權利要求1至3任一所述的帶有柵極溝槽結構的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述改善注入區(105)與柵極金屬電極(108)在俯視截面上呈垂直設置。
7.如權利要求1至3任一所述的帶有柵極溝槽結構的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述改善電場分布注入區(111)與柵極金屬電極(108)在俯視截面上呈垂直設置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于派恩杰半導體（杭州）有限公司，未經派恩杰半導體（杭州）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010882108.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種邊料循環系統
- 下一篇：一種發動機引氣調溫調壓方法
- 同類專利
- 專利分類
