[發(fā)明專利]一種基于透明襯底的LED芯片及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010881721.3
• 申請(qǐng)日: 2020-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN111969087A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙斌;曲曉東;楊克偉;林志偉;陳凱軒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/38
• 分類號(hào): H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于透明襯底的LED芯片，其特征在于，包括：

透明襯底；

外延疊層，所述外延疊層通過鍵合層鍵合形成于所述透明襯底的表面，所述外延疊層至少包括沿第一方向依次堆疊的第一型半導(dǎo)體層、有源區(qū)及第二型半導(dǎo)體層；且，在所述外延疊層中設(shè)有貫穿所述外延疊層的電極貫穿孔；所述第一方向垂直于所述透明襯底，并由所述透明襯底指向所述外延疊層；

金屬電極層，所述金屬電極層層疊于所述第二型半導(dǎo)體層背離所述有源區(qū)的一側(cè)表面；

第一擴(kuò)展電極層，所述第一擴(kuò)展電極層設(shè)于所述外延疊層朝向所述鍵合層的一側(cè)表面，且所述電極貫穿孔裸露所述第一擴(kuò)展電極層的局部區(qū)域；

絕緣層，所述絕緣層設(shè)置于所述電極貫穿孔的側(cè)壁及所述金屬電極層背離所述第二型半導(dǎo)體層的一側(cè)表面；所述絕緣層設(shè)有一裸露所述金屬電極層部分表面的缺口，且所述缺口遠(yuǎn)離所述電極貫穿孔設(shè)置；

第一電極，所述第一電極沉積于所述電極貫穿孔并與所述第一擴(kuò)展電極層形成電接觸；

第二電極，所述第二電極通過所述缺口與所述金屬電極層形成電接觸，且所述第二電極遠(yuǎn)離所述第一電極設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于透明襯底的LED芯片，其特征在于，在所述外延疊層朝向所述鍵合層的一側(cè)表面設(shè)有透明導(dǎo)電層，所述第一擴(kuò)展電極層層疊于所述透明導(dǎo)電層背離所述外延疊層的一側(cè)表面，且所述電極貫穿孔延伸至所述透明導(dǎo)電層并裸露所述第一擴(kuò)展電極層的局部區(qū)域；或所述透明導(dǎo)電層層疊于所述第一擴(kuò)展電極層背離所述外延疊層的一側(cè)表面，且所述電極貫穿孔裸露所述第一擴(kuò)展電極層的局部區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于透明襯底的LED芯片，其特征在于，所述第一擴(kuò)展電極層至少包括一中心焊盤及若干個(gè)沿所述外延疊層表面水平鋪設(shè)的擴(kuò)展條；且所述電極貫穿孔裸露所述中心焊盤的局部區(qū)域，所述第一電極沉積于所述電極貫穿孔并與所述中心焊盤形成電接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于透明襯底的LED芯片，其特征在于，所述鍵合層包括透明介質(zhì)材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于透明襯底的LED芯片，其特征在于，所述透明襯底包括圖形化透明襯底或具有斜側(cè)壁的透明襯底。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于透明襯底的LED芯片，其特征在于，所述金屬電極層包括高反射率的金屬單層，或具有高反射率的多層金屬結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于透明襯底的LED芯片，其特征在于，所述金屬電極層包括Ag、Au、Pt、Al、Rh、Ni、Pd、V中的一種或多種金屬疊層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于透明襯底的LED芯片，其特征在于，所述絕緣層包括絕緣材料層或由絕緣材料制備的DBR堆棧。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于透明襯底的LED芯片，其特征在于，所述第一型半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層，所述第二型半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體層；或第一型半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體層，所述第二型半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層。