[發(fā)明專利]一種背接觸式鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)疊層電池組件及其制備方法和太陽(yáng)能電池在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010881189.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114203843A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉祖輝;陳龍;蔣方丹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 嘉興阿特斯技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/043 | 分類號(hào): | H01L31/043;H01L31/074;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 鞏克棟 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉興市秀*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 接觸 式鈣鈦礦 硅異質(zhì)結(jié)疊層 電池 組件 及其 制備 方法 太陽(yáng)能電池 | ||
本發(fā)明提供一種背接觸式鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)疊層電池組件及其制備方法和太陽(yáng)能電池,所述背接觸式鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)疊層電池組件通過(guò)在硅異質(zhì)結(jié)電池組件前表面設(shè)置透明導(dǎo)電層,并在所述透明導(dǎo)電層的前表面設(shè)置有呈叉指式交錯(cuò)分布的鈣鈦礦電子傳輸層和鈣鈦礦空穴傳輸層,實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦電子傳輸層和鈣鈦礦空穴傳輸層的背接觸設(shè)計(jì),既可以避免正面電極的遮光損失,又能盡量消除頂部透明導(dǎo)電層對(duì)光的寄生吸收,提高了太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及新能源技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種背接觸式鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)疊層電池組件及其制備方法和太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù)
近年來(lái)在光伏行業(yè)中,鈍化發(fā)射極和背面電池(PERC)技術(shù)是主流的商業(yè)化技術(shù),在優(yōu)化現(xiàn)有技術(shù)的同時(shí),隨著對(duì)高效太陽(yáng)能電池和組件的需求,高效異質(zhì)結(jié)(HJT)電池以其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、光致衰減和溫度系數(shù)低、開(kāi)路電壓和轉(zhuǎn)化效率高、工藝流程相對(duì)簡(jiǎn)單等優(yōu)勢(shì),使其成為未來(lái)電池技術(shù)最具發(fā)展?jié)摿Φ姆桨钢弧?/p>
同時(shí),疊層結(jié)構(gòu)電池已被普遍認(rèn)可為提高電池效率的有效途徑,其基本原理是將太陽(yáng)光譜視為不同部分,用禁帶寬度與不同光譜段匹配的太陽(yáng)能電池材料做成疊層電池結(jié)構(gòu),最大限度地將光能轉(zhuǎn)化為電能。特別地,由于鈣鈦礦材料對(duì)短波長(zhǎng)光的吸收強(qiáng),帶隙可調(diào)節(jié)性等優(yōu)點(diǎn),近年鈣鈦礦-硅疊層太陽(yáng)能電池的迅速發(fā)展有目共睹,尤其是鈣鈦礦-硅異質(zhì)結(jié)疊層電池,目前最高的轉(zhuǎn)換效率達(dá)29.1%。
CN110491998A公開(kāi)了一種平面無(wú)摻雜異質(zhì)結(jié)-鈣鈦礦疊層電池,所述電池包括連接在一起的鈣鈦礦頂層太陽(yáng)能電池和異質(zhì)結(jié)底層太陽(yáng)能電池,鈣鈦礦頂層太陽(yáng)能電池包括從上到下依次設(shè)置的前金屬電極層、第一透明導(dǎo)電氧化物層、空穴傳輸層、鈣鈦礦光吸收層和電子傳輸層,鈣鈦礦光吸收層包括從上到下依次設(shè)置的鈣鈦礦層A、鈣鈦礦層B和鈣鈦礦層C,鈣鈦礦層A的禁帶寬度為2.4~3.0ev,鈣鈦礦層B的禁帶寬度為2.0~2.6ev,鈣鈦礦層C的禁帶寬度為1.9~2.2ev,且鈣鈦礦層A、鈣鈦礦層B和鈣鈦礦層C的禁帶寬度依次減小,但該結(jié)構(gòu)無(wú)法避免第一透明導(dǎo)電氧化物層寄生光吸收的問(wèn)題。
CN109935690A公開(kāi)了一種基于硅異質(zhì)結(jié)/鈣鈦礦二電極的疊層太陽(yáng)能電池,所述的硅異質(zhì)結(jié)/鈣鈦礦二電極的疊層太陽(yáng)能電池包括寬帶隙的頂部鈣鈦礦太陽(yáng)能電池和窄帶隙的硅電池,自上而下依次包括減反層、透明頂電極、保護(hù)層、鈣鈦礦吸收層、電子傳輸層、中間層、Si異質(zhì)結(jié)電池、金屬電極。該疊層太陽(yáng)能電池同樣無(wú)法避免透明頂電極的寄生光吸收問(wèn)題。
因此,使用鈣鈦礦作為頂層電池和硅異質(zhì)結(jié)電池形成疊層電池,在提高電池的短波響應(yīng)和開(kāi)路電壓具有很大的潛力。
此外,背接觸硅太陽(yáng)能電池,簡(jiǎn)稱IBC電池,是一種將n+型摻雜區(qū)和p+型摻雜區(qū)都設(shè)置在電池背面的電池。受光面無(wú)任何金屬柵線、電極的遮擋,提高正面受光面積,進(jìn)而達(dá)到更高短路電流,提高電池效率。
以上三種技術(shù)的結(jié)合,現(xiàn)在已出現(xiàn)了背接觸的鈣鈦礦-硅疊層的結(jié)構(gòu),但其實(shí)現(xiàn)方式仍存在很多問(wèn)題。
CN210403774U公開(kāi)了一種背接觸無(wú)摻雜異質(zhì)結(jié)-鈣鈦礦疊層電池,分為了頂部電池和底部電池,將電極設(shè)置在底部無(wú)摻雜異質(zhì)結(jié)電池。避免了電極對(duì)正面的遮擋,由于不需要摻雜也簡(jiǎn)化了步驟,但是鈣鈦礦電池頂部的透明導(dǎo)電氧化物層,仍具有一定的寄生吸光性,會(huì)限制對(duì)電池效率的進(jìn)一步提升。
因此,為解決和優(yōu)化現(xiàn)有的背接觸鈣鈦礦-硅疊層技術(shù)問(wèn)題,需要開(kāi)發(fā)一種背接觸式鈣鈦礦-異質(zhì)結(jié)疊層的電池組件。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題,本發(fā)明提供一種背接觸式鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)疊層電池組件及其制備方法和太陽(yáng)能電池,所述接觸式鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)疊層電池組件既擁有IBC異質(zhì)結(jié)電池高短路電流的優(yōu)勢(shì)又結(jié)合疊層結(jié)構(gòu)的高開(kāi)路電壓,真正充分利用鈣鈦礦層吸收短波長(zhǎng)的光,硅層來(lái)吸收長(zhǎng)波長(zhǎng)的光,提升短路電流和開(kāi)路電壓,進(jìn)一步提高電池效率,而且所述鈣鈦礦層創(chuàng)新地采用的類似背接觸式的設(shè)計(jì),與底部硅異質(zhì)結(jié)電池組件相配合,真正發(fā)揮了此結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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