[發(fā)明專利]屏下指紋識別設(shè)備與屏下指紋識別方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010880020.8
• 申請日: 2020-08-27
• 公開（公告）號: CN111860470A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 明玉生;陳翔宇;曹雪峰;孫理斌;汪杰;陳遠(yuǎn)
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波舜宇?yuàn)W來技術(shù)有限公司
• 主分類號: G06K9/00
• 分類號: G06K9/00
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 霍文娟

1.一種屏下指紋識別設(shè)備，其特征在于，包括：

透明蓋板；

發(fā)光器件，位于透明蓋板的一側(cè)；

微透鏡陣列，位于所述發(fā)光器件的遠(yuǎn)離所述透明蓋板的一側(cè)，所述微透鏡陣列包括多個(gè)依次排列的微透鏡；

CMOS芯片，位于所述微透鏡陣列的遠(yuǎn)離所述發(fā)光器件的一側(cè)，且位于所述微透鏡陣列的像方焦平面處，所述微透鏡陣列將指紋反射的光成像在所述CMOS芯片上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏下指紋識別設(shè)備，其特征在于，所述微透鏡陣列包括：

基材層，位于所述發(fā)光器件的遠(yuǎn)離所述透明蓋板的一側(cè)；

多個(gè)微透鏡，位于所述基材層的表面上，且多個(gè)所述微透鏡沿第一方向依次排列，所述第一方向與所述微透鏡的厚度方向垂直。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的屏下指紋識別設(shè)備，其特征在于，所述微透鏡在所述第一方向上的寬度在10～100μm之間，所述微透鏡在第二方向上的寬度在10～100μm之間，所述第二方向、所述第一方向以及所述微透鏡的厚度方向中任意兩個(gè)相互垂直，所述微透鏡的最大厚度在3～30μm之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的屏下指紋識別設(shè)備，其特征在于，所述微透鏡的遠(yuǎn)離所述CMOS芯片的表面包括平面和/或曲面。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的屏下指紋識別設(shè)備，其特征在于，所述微透鏡的遠(yuǎn)離所述CMOS芯片的表面由一個(gè)曲面形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏下指紋識別設(shè)備，其特征在于，所述CMOS芯片包括多個(gè)依次排列的成像單元，所述成像單元在第一方向上的像素寬度在0.5～50μm之間，所述成像單元在第二方向上的像素寬度在0.5～50μm之間，所述第一方向、所述第二方向與所述成像單元的厚度方向中任意兩個(gè)方向相互垂直，一個(gè)所述微透鏡在所述CMOS芯片上的投影覆蓋多個(gè)所述成像單元。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏下指紋識別設(shè)備，其特征在于，所述發(fā)光器件包括多個(gè)依次排列的發(fā)光單元，所述發(fā)光單元在第一方向上的寬度在5～50μm之間，所述發(fā)光單元在第二方向上的寬度在5～50μm之間，所述第一方向與所述第二方向垂直，任意相鄰兩個(gè)所述發(fā)光單元的間距在10～100μm之間，且所述發(fā)光單元的面積小于所述微透鏡的面積。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的屏下指紋識別設(shè)備，其特征在于，所述透明蓋板為玻璃蓋板。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的屏下指紋識別設(shè)備，其特征在于，所述發(fā)光器件為OLED芯片。

10.一種屏下指紋識別方法，其特征在于，

使用權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的屏下指紋識別設(shè)備得到若干個(gè)局部指紋生成的局部成像圖；

將若干個(gè)所述局部指紋生成的所述局部成像圖進(jìn)行算法拼接，獲取整個(gè)指紋的成像圖。

11.一種屏下指紋識別裝置，其特征在于，包括：

權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的屏下指紋識別設(shè)備，用于得到若干個(gè)局部指紋生成的局部成像圖；

軟件，用于將若干個(gè)所述局部指紋生成的所述局部成像圖進(jìn)行算法拼接，獲取整個(gè)指紋的成像圖。

12.一種電子設(shè)備，包括顯示屏與屏下指紋識別裝置，其特征在于，所述屏下指紋識別裝置為權(quán)利要求11所述的屏下指紋識別裝置。