[發明專利]封裝件及其形成方法

在審

• 申請號: 202010879929.1
• 申請日: 2020-08-27
• 公開（公告）號: CN113053757A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 許佳桂;游明志;林柏堯;陳碩懋;許峯誠;鄭心圃
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

一種方法包括形成再分布結構，該形成工藝包括在載體上方形成多個介電層，形成延伸到多個介電層中的多條再分布線，以及在載體上方形成增強貼片。該方法還包括將封裝組件接合至再分布結構，封裝組件具有與增強貼片的部分重疊的外圍區域。并且將再分布結構和第一封裝組件從載體脫粘。本發明的實施例還涉及封裝件及其形成方法。

技術領域

本發明的實施例涉及封裝件及其形成方法。

背景技術

隨著半導體技術的發展，半導體芯片/管芯變得越來越小。同時，需要將更多功能集成到半導體管芯中。因此，半導體管芯需要將越來越多的I/O焊盤封裝到較小的區域中，并且I/O焊盤的密度會隨著時間的推移而迅速提高。結果，半導體管芯的封裝變得更加困難，這不利地影響封裝的良率。

在常規封裝技術中，在管芯被封裝之前，從晶圓切割出管芯。這種封裝技術的一個有利特征是可以形成扇出封裝件的可能性，這意味著管芯上的I/O焊盤可以再分布到比管芯更大的區域，因此，封裝在管芯的表面上的I/O焊盤的數量也可以增加。該封裝技術的另一個有利特征是，封裝“已知良好管芯”，并且丟棄有缺陷的管芯，因此，不會在有缺陷的管芯上浪費成本和精力。在封裝中，形成多個介電層和多條再分布線。再分布線電連接至管芯。

發明內容

本發明的實施例提供了一種形成封裝件的方法，包括：形成再分布結構，包括：在載體上方形成多個介電層；形成延伸到所述多個介電層中的多條再分布線；和在所述載體上方形成增強貼片；將第一封裝組件接合至所述再分布結構，其中，所述第一封裝組件包括與所述增強貼片的部分重疊的外圍區域；以及使所述再分布結構和所述第一封裝組件從所述載體脫粘。

本發明的另一實施例提供了一種封裝件，包括：再分布結構，包括：多個介電層；多條再分布線，延伸到所述多個介電層中；和增強貼片，與所述多個介電層重疊，其中，所述增強貼片包括金屬材料；第一封裝組件，位于所述再分布結構上方并且接合至所述再分布結構；以及底部填充物，位于所述再分布結構和所述第一封裝組件之間，其中，所述底部填充物接觸所述增強貼片。

本發明的又一實施例提供了一種封裝件，包括：再分布結構，包括：多個介電層；多條再分布線，延伸到所述多個介電層中；和增強貼片，接觸所述多個介電層中的一個，其中，所述增強貼片是電浮置的；以及封裝組件，接合至所述再分布結構，其中，所述增強貼片包括與所述封裝組件的拐角部分重疊的第一部分。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該強調，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制并且僅用于說明的目的。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1至圖14示出了根據一些實施例的在形成包括增強貼片的封裝件中的中間階段的截面圖。

圖15A和圖15B分別示出了根據一些實施例的具有增強貼片的封裝件的截面圖和平面圖，該增強貼片具有電功能。

圖16A、圖16B、圖16C、圖16D、圖16E、圖16F和圖16G示出了根據一些實施例的示例增強貼片的圖案。

圖17至圖19示出了根據一些實施例的一些增強貼片的布局。

圖20和圖21分別示出了根據一些實施例的具有通孔的封裝件的截面圖和平面圖。

圖22示出了根據一些實施例的具有多個封裝組件和相應的增強貼片的封裝件的截面圖。

圖23示出了根據一些實施例的用于形成封裝件的工藝流程。

具體實施方式