[發明專利]一種K頻段瓦片式金屬封裝組件

在審

• 申請號: 202010879647.1
• 申請日: 2020-08-27
• 公開（公告）號: CN112019229A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 趙峰;谷濱;劉會奇;周鵬;羅烜;郭凡玉
• 申請（專利權）人: 成都天銳星通科技有限公司
• 主分類號: H04B1/40
• 分類號: H04B1/40;G01S7/02
• 代理公司: 蘇州吳韻知識產權代理事務所(普通合伙) 32364
• 代理人: 王銘陸

1.一種K頻段瓦片式金屬封裝組件，包括金屬腔體(1)、安裝于所述金屬腔體(1)上的金屬蓋板(2)，其特征在于，所述金屬腔體(1)的內壁安裝有金屬圍框(3)、自所述金屬腔體(1)的腔底至所述金屬蓋板(2)之間依次設置有射頻饋電網絡(4)、波控分配基板(5)、波控子基板(6)，所述射頻饋電網絡(4)、所述波控分配基板(5)、所述波控子基板(6)均設置于所述金屬圍框(3)的內壁之間；所述射頻饋電網絡(4)包括互相連接的射頻芯片、功分饋電網絡，所述波控分配基板(5)上設置有分別與所述射頻芯片的引腳相連的電壓分配焊盤、信號分配焊盤，所述波控子基板(6)上安裝有波控芯片，所述波控芯片與低頻連接器相連，所述射頻芯片、所述功分饋電網絡均與射頻連接器相連，所述低頻連接器、所述射頻連接器的接口端均延伸至所述金屬腔體(1)外部。

2.根據權利要求1所述的K頻段瓦片式金屬封裝組件，其特征在于，所述射頻芯片包括GaAs芯片和CMOS芯片。

3.根據權利要求2所述的K頻段瓦片式金屬封裝組件，其特征在于，所述波控芯片至少包括與所述CMOS芯片相連的CPLD芯片、與所述GaAs芯片的VGT供電接口相連的DAC芯片、與所述GaAs芯片的VDT供電接口相連的DCDC芯片。

4.根據權利要求1所述的K頻段瓦片式金屬封裝組件，其特征在于，所述低頻連接器包括與所述波控芯片相連的電源及控制信號接口(71)，所述射頻連接器包括與所述功分饋電網絡相連的SMP射頻信號輸入接口(72)、與所述射頻芯片相連的64通道射頻信號輸出接口(73)。

5.根據權利要求4所述的K頻段瓦片式金屬封裝組件，其特征在于，射頻信號自所述射頻連接器饋入，并通過所述功分饋電網絡分配至所述射頻芯片的輸入口進行幅相調制處理，所述射頻芯片通過所述射頻連接器將幅相調制處理后的射頻信號輸出。

6.根據權利要求4所述的K頻段瓦片式金屬封裝組件，其特征在于，所述金屬蓋板(2)、所述金屬腔體(1)的底部均開設有外連接口，所述電源及控制信號接口(71)、所述SMP射頻信號輸入接口(72)通過所述金屬蓋板(2)上的外連接口延伸至所述金屬腔體(1)外部，所述64通道射頻信號輸出接口(73)通過所述金屬腔體(1)上的外連接口延伸至所述金屬腔體(1)外部。

7.根據權利要求6所述的K頻段瓦片式金屬封裝組件，其特征在于，所述金屬蓋板(2)與所述金屬腔體(1)的連接處設置有氣密封條，所述電源及控制信號接口(71)、所述SMP射頻信號輸入接口(72)與所述金屬蓋板(2)上外連接口的連接處設置有氣密封條，所述64通道射頻信號輸出接口(73)與所述金屬腔體(1)上外連接口的連接處設置有氣密封條。

8.根據權利要求1所述的K頻段瓦片式金屬封裝組件，其特征在于，所述射頻芯片的引腳與所述電壓分配焊盤、所述信號分配焊盤通過金絲鍵合相連。

9.根據權利要求1所述的K頻段瓦片式金屬封裝組件，其特征在于，所述波控分配基板(5)為多層臺階板。

10.根據權利要求1所述的K頻段瓦片式金屬封裝組件，其特征在于，所述功分饋電網路為威爾金森功分器，其通過共面波導、微帶線、金絲鍵合中的至少一種與所述射頻芯片連接。